【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,特别是涉及一种内建自测试系统及电子设备。
技术介绍
1、集成电路测试的目的是检测生产制造中产生的缺陷,内建自测试(built in selftest,bist)是可测试性设计的一种重要方法。bist测试原理是测试电路内部产生测试数据,将其输入到被测电路,采集被测电路的反馈数据,以及验证反馈数据是否正确。随着存储系统的功能不断增多,完善存储系统的内建自测试电路的功能成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本公开实施例提供了一种内建自测试系统及电子设备。
2、根据本公开的第一个方面,提供了一种内建自测试系统,包括:数据总线翻转信号产生器、以及耦接于所述数据总线翻转信号产生器的数据总线翻转信号比较器;
3、所述数据总线翻转信号产生器被配置为:将写操作数据总线翻转信号发送给所述数据总线翻转信号比较器,所述写操作数据总线翻转信号是基于写入数据和数据总线翻转规则确定的;
4、所述数据总线翻转信号比较器被配置为:接收所述写操作数据总线翻转信
...【技术保护点】
1.一种内建自测试系统,其特征在于,包括:数据总线翻转信号产生器、以及耦接于所述数据总线翻转信号产生器的数据总线翻转信号比较器;
2.根据权利要求1所述的内建自测试系统,其特征在于,所述内建自测试系统可执行第一测试模式或者第二测试模式,所述第一测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器和存储器均启用数据总线翻转功能的情况下执行,所述第二测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器禁用所述数据总线翻转功能且存储器启用所述数据总线翻转功能的情况下执行;
3.根据权利要求2所述的内建自测试系统,其特征在于,所述数据产生器包括:第一数据产生单元和
...【技术特征摘要】
1.一种内建自测试系统,其特征在于,包括:数据总线翻转信号产生器、以及耦接于所述数据总线翻转信号产生器的数据总线翻转信号比较器;
2.根据权利要求1所述的内建自测试系统,其特征在于,所述内建自测试系统可执行第一测试模式或者第二测试模式,所述第一测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器和存储器均启用数据总线翻转功能的情况下执行,所述第二测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器禁用所述数据总线翻转功能且存储器启用所述数据总线翻转功能的情况下执行;
3.根据权利要求2所述的内建自测试系统,其特征在于,所述数据产生器包括:第一数据产生单元和第二数据产生单元,
4.根据权利要求3所述的内建自测试系统,其特征在于,所述数据总线翻转信号产生器包括:第一信号产生单元和第二信号产生单元,
5.根据权利要求2所述的内建自测试系统,其特征在于,所述内建自测试系统还包括:数据比较器,耦接于所述数据产生器,被配置为:
6.根据权利要求5所述的内建自测试系统,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的内建自测...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭浩程,王燚,
申请(专利权)人:鼎道智芯上海半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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