【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作萧特基二极管的方法。
技术介绍
1、半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机以及其他电子设备。一般通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层材料以制造半导体装置，并使用光刻对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路组件及元件。
2、半导体产业通过持续减小最小部件尺寸以持续提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，其允许将更多组件整合至给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的额外问题。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作半导体元件的方法。首先形成一浅沟隔离于基底内，然后形成一第一栅极结构于该基底上并设于该浅沟隔离旁，形成一第一掺杂区于该第一栅极结构以及该浅沟隔离之间，形成一第二掺杂区于该第一掺杂区以及该第一栅极结构之间，形成一第一接触插塞于该第一掺杂区上，再形成一第二接触插塞于该第二掺杂区上。
2、本专利技术一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一浅沟隔离设于基底内，一第一栅极结构设于基底上以及浅沟隔离旁，第一掺杂区设于该第一栅极结构以及该浅沟隔离之间，第二掺杂区设于该第一掺杂区以及该第一栅极结构之间，第一接触插塞设于该第一掺杂区上以及第二接触插塞设于该第二掺杂区上。
【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，还包含在去除该第二间隙壁之前形成硅化金属层于该第二掺杂区上。
4.如权利要求2所述的方法，还包含形成该第一接触插塞于该第二栅极结构以及该第一掺杂区上。
5.如权利要求1所述的方法，其中该第一接触插塞包含L形。
6.如权利要求2所述的方法，还包含：
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含相同导电型式。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂区浓度小于该第二掺杂区浓度。
9.如权利要求1所述的方法，其中该第二掺杂区底表面低于该第一掺杂区底表面。
10.一种半导体元件，包含：
11.如权利要求10所述的半导体元件，还包含：
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一接触插塞设于该第二栅极结构以及该第一掺杂区上。
13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二栅极结构包含第二金属栅极。
14.如
15.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一接触插塞包含L形。
16.如权利要求10所述的半导体元件，还包含硅化金属层设于该第二掺杂区上。
17.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含相同导电型式。
18.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一掺杂区浓度小于该第二掺杂区浓度。
19.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二掺杂区底表面低于该第一掺杂区底表面。
...【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，还包含在去除该第二间隙壁之前形成硅化金属层于该第二掺杂区上。
4.如权利要求2所述的方法，还包含形成该第一接触插塞于该第二栅极结构以及该第一掺杂区上。
5.如权利要求1所述的方法，其中该第一接触插塞包含l形。
6.如权利要求2所述的方法，还包含：
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含相同导电型式。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂区浓度小于该第二掺杂区浓度。
9.如权利要求1所述的方法，其中该第二掺杂区底表面低于该第一掺杂区底表面。
10.一种半导体元件，包含：
11.如权利要求10所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：林文凯，白启宏，薛胜元，李国兴，康智凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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