【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种浮岛型沟槽igbt器件及其制作方法，属于半导体。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为绝缘栅控制的双极型器件，其内部的非平衡载流子浓度越高则其电导调制效应越显著，其电流密度越高。
2、以沟槽型igbt为例，空穴依靠阳极发射结注入，电子依靠阴极沟道注入。受沟道电阻影响，阴极一侧电子注入能力受到限制。为增强igbt阴极的电子注入能力，现有方案中引入载流子存储层，其结构简图如图1所示。载流子存储层通过在p基区外围增加n型注入的方法增强阴极一侧的载流子浓度，可以增强igbt的电导调制能力，提高igbt的电流密度。
3、然而，由于引入的载流子存储层依靠注入掺杂浓度较高的n型杂质实现，且这种采用注入方式由于受到注入机能力限制被控制在特定深度不利于产品性能的优化发挥。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种浮岛型沟槽igbt器件及其制作方法，用于解决现有技术中存在的问题。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种浮岛型沟槽igbt器件，所述方法包括：
4、在基片上生成p+注入区；
5、通过第一能量的n型注入生成载流子存储层；
6、通过预设电阻率对所述载流子存储层进行外延并生长至第一厚度；
7、通过刻蚀、溅射、沉积生成igbt器件中的其他层，并得
8、可选地，所述通过第一能量的n型注入生成载流子存储层之前，所述方法还包括：
9、通过第二能量的p型注入生成第一p型浮岛；
10、通过第三能量的p型注入生成第二p型浮岛。
11、可选地，所述方法还包括：
12、在生成所述第二p型浮岛之后，通过所述预设电阻率进行外延生长得到第二厚度的外延层。
13、可选地，所述第二厚度为10-20um。
14、可选地，所述方法还包括：
15、在生成所述第二厚度的外延层之后，循环执行所述通过第二能量的p型注入生成第一p型浮岛的步骤，直至达到预设次数。
16、可选地，所述第二能量为1-10mev。
17、可选地，所述第三能量为60-300kev。
18、可选地，所述第一能量为60-300kev。
19、可选地，所述第一厚度为5-10um。
20、第二方面，提供了一种浮岛型沟槽igbt器件，所述igbt器件通过如第一方面所述的制作方法制作得到。
21、通过在基片上生成p+注入区；通过第一能量的n型注入生成载流子存储层；通过预设电阻率对所述载流子存储层进行外延并生长至第一厚度；通过刻蚀、溅射、沉积生成igbt器件中的其他层，并得到所述igbt器件。解决了现有技术中载流子存储层会受到注入机能力限制进而导致器件性能受影响的问题，达到了载流子存储层采用先注入后外延的方式，进而可以有效载流子存储层的浓度均匀性，并且载流子存储层离表面的深度受外延层控制而不受注入机能力限制，提高了器件的优化空间。
22、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
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1.一种浮岛型沟槽IGBT器件及其制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过第一能量的N型注入生成载流子存储层之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二厚度为10-20um。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二能量为1-10MeV。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三能量为60-300KeV。
8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述第一能量为60-300KeV。
9.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述第一厚度为5-10um。
10.一种浮岛型沟槽IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件通过如权利要求1至9任一所述的制作方法制作得到。
【技术特征摘要】
1.一种浮岛型沟槽igbt器件及其制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过第一能量的n型注入生成载流子存储层之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二厚度为10-20um。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨雄，黄传伟，夏华秋，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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