【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种mosfet芯片版图结构及其制作方法，属半导体。
技术介绍
1、mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效晶体管)，是一种应用相当广泛的场效晶体管，普及到现代生活的每一个角落。比如在pc、笔记本电脑领域、工业应用领域等等，同时电动车、油电混合车(新能源车)、快速充电、无线充电等领域的应用也正在快速兴起。
2、现有技术中的mosfet芯片版图结构栅极(g极)区和源极(s极)区都位于芯片正面，栅极区占用正面区域的10％～30％面积，其打线连接至栅极管脚；源极区有效面积70％～90％，其打线连接至源极管脚，如附图1所示；由于正面栅极区的存在导致源极有效面积的减小，源区并联最小元胞数量减小，导致芯片导通电阻较高，芯片损耗大；同时栅极区也会影响到源极区的打线线径、压点数量及打线数量，导致导通电阻升高及电流能力不足。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种mosfet芯片版图结构及其制作方法，用于解决现有技术中存在的问题。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种mosfet芯片版图结构，所述mosfet芯片版图结构包括：
4、设置在正面的源极金属，所述源极金属的四周包围有栅极总线区，各个栅极总线区与cell区的gate poly相连，各个栅极总线区通过四个边角的刻蚀窗口与背面
5、设置在背面的漏极金属和包围所述漏极金属的栅极金属区，所述栅极金属区被刻蚀窗口隔开，所述栅极金属区通过4个边角的刻蚀窗口与正面的栅极总线区相连；
6、其中，正面的刻蚀窗口与背面的刻蚀窗口位置一致。
7、第二方面，提供了一种mosfet芯片版图结构的制作方法，所述方法用于制作第一方面所述的mosfet芯片版图结构，所述方法包括：
8、在正面cell区接触孔刻蚀完毕后，在四个边角生成刻蚀窗口；
9、在正面沉积第一厚度的第一金属，并通过刻蚀得到源极金属区以及包围所述源极金属区的栅极总线区；各个栅极总线区通过四个边角的刻蚀窗口与背面的栅极金属区相连；
10、在背面的四个边角生成刻蚀窗口；
11、在背面沉积第二厚度的第二金属，并通过刻蚀得到漏极金属区以及包围所述漏极金属区的栅极金属区，所述栅极金属区被所述刻蚀窗口隔开；所述栅极金属区通过4个边角的刻蚀窗口与正面的栅极总线区相连；
12、其中，正面的刻蚀窗口与背面的刻蚀窗口位置一致。
13、可选地，所述在四个边角生成刻蚀窗口，包括：
14、在四个边角进行深硅孔刻蚀；
15、在所述cell区接触孔和所述深硅孔的底部、侧面以及mesh表面沉积第三厚度的第三金属；
16、在所述cell区接触孔和所述深硅孔填充第四厚度的第四金属；
17、对所述深硅孔进行刻蚀，使得刻蚀后的上表面低于所述mesh表面第五厚度，刻蚀后的深硅孔即为所述刻蚀窗口。
18、可选地，所述第三金属为钛，所述第三厚度为400a；
19、或者，
20、所述第三金属为氮化钛，所述第三厚度为500a或者600a。
21、可选地，所述在所述cell区接触孔和所述深硅孔填充第四厚度的第四金属，包括：
22、通过化学气相沉积cvd或者高电浆密度化学气相沉积hdpcvd方法在所述cell区接触孔和所述深硅孔填充所述第四厚度的第四金属。
23、可选地，所述第四金属为钨，所述第四厚度为4000a～10000a。
24、可选地，所述对所述深硅孔进行刻蚀，使得刻蚀后的上表面低于所述mesh表面第五厚度，包括：
25、通过研磨表面的所述第四金属或者刻蚀所述第四金属，并在所述第四金属的表面齐平后继续刻蚀，进而使得刻蚀后的上表面低于所述mesh表面第五厚度。
26、可选地，所述第五厚度为500a～1000a。
27、可选地，所述第一金属为铝，所述第一厚度为4um～5um。
28、可选地，所述第二金属为钛或者镍或者银；
29、在所述第二金属为钛时，所述第二厚度为1000a；
30、在所述第二金属为镍时，所述第二厚度为2000a；
31、在所述第二金属为银时，所述第二厚度为10000a～40000a。
32、通过提供一种mosfet芯片版图结构，所述mosfet芯片版图结构包括：设置在正面的源极金属，所述源极金属的四周包围有栅极总线区，各个栅极总线区与cell区的gatepoly相连，各个栅极总线区通过四个边角的刻蚀窗口与背面的栅极金属区相连；设置在背面的漏极金属和包围所述漏极金属的栅极金属区，所述栅极金属区被刻蚀窗口隔开，所述栅极金属区通过4个边角的刻蚀窗口与正面的栅极总线区相连；其中，正面的刻蚀窗口与背面的刻蚀窗口位置一致。解决了现有技术中mosfet芯片版图结构的导通电阻较高芯片损耗大并且电流能力不足的问题，达到了将源极设置在芯片的正面，而将栅极和/或漏极设置在芯片的背面，进而可以减小芯片导通电阻缩小芯片体积降低芯片功耗的效果，同时，分别设置在正面和反面克服了封装打线的制约，达到了可以提高电流能力的效果。
33、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
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1.一种MOSFET芯片版图结构，其特征在于，所述MOSFET芯片版图结构包括：
2.一种MOSFET芯片版图结构的制作方法，其特征在于，所述方法用于制作权利要求1所述的MOSFET芯片版图结构，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在四个边角生成刻蚀窗口，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述cell区接触孔和所述深硅孔填充第四厚度的第四金属，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述深硅孔进行刻蚀，使得刻蚀后的上表面低于所述mesh表面第五厚度，包括：
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第五厚度为500A～1000A。
9.根据权利要求2至8任一所述的方法，其特征在于，所述第一金属为铝，所述第一厚度为4um～5um。
10.根据权利要求2至8任一所述的方法，其特征在于，所述第二金属为钛或者镍或者银；
【技术特征摘要】
1.一种mosfet芯片版图结构，其特征在于，所述mosfet芯片版图结构包括：
2.一种mosfet芯片版图结构的制作方法，其特征在于，所述方法用于制作权利要求1所述的mosfet芯片版图结构，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在四个边角生成刻蚀窗口，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述cell区接触孔和所述深硅孔填充第四厚度的第四金属，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡盖，夏华忠，夏华秋，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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