【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制作一种半导体元件的方法，尤其是涉及一种蚀刻浅沟隔离形成凹槽的方法。
技术介绍
1、在现有半导体产业中，多晶硅系广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,mos)晶体管中，作为标准的栅极填充材料选择。然而，随着mos晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶硅栅极因硼穿透(boron penetration)效应导致元件效能降低，及其难以避免的空乏效应(depletion effect)等问题，使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此，半导体业界更尝试以新的栅极填充材料，例如利用功函数(work function)金属来取代传统的多晶硅栅极，用以作为匹配高介电常数(high-k)栅极介电层的控制电极。
2、然而在现今金属栅极晶体管制作过程中，特别是输入/输出区与核心区因预设介质层厚度的影响在电性表现上均有其不理想之处，例如输入/输出区因介质层厚度高容易造成元件运作速度降低而核心区的部分则因介质层厚度低导致严重漏电流。因此如何改良现行金属栅极制作工艺以解决此问题即为现今一重要课题。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一浅沟隔离于基底内，然后形成一栅极结构于该浅沟隔离以及该基底上，形成一图案化掩模于浅沟隔离以及栅极结构上，进行一蚀刻制作工艺去除部分浅沟隔离以形成第一凹槽于栅极结构一侧以及第二凹槽于栅极结构另一侧，再形成一接触洞蚀刻停止
2、本专利技术一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一浅沟隔离设于基底内、一栅极结构设于该浅沟隔离以及该基底上、第一凹槽设于栅极结构一侧的浅沟隔离内以及一接触洞蚀刻停止层设于栅极结构上并填入第一凹槽内。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该图案化掩模包含开口暴露该浅沟隔离，该方法包含：
4.如权利要求1所述的方法，还包含：
5.如权利要求4所述的方法，还包含形成该间隙壁于该栅极结构旁以及该第一凹槽内。
6.如权利要求4所述的方法，其中该间隙壁底表面低于该浅沟隔离顶表面。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一凹槽深度介于20～200纳米。
8.一种半导体元件，其特征在于，包含：
9.如权利要求8所述的半导体元件，还包含：
10.如权利要求8所述的半导体元件，还包含：
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该间隙壁设于该第一凹槽内。
12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该间隙壁底表面低于该浅沟隔离顶表面。
13.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一凹槽深度介于20～200纳米。
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该图案化掩模包含开口暴露该浅沟隔离，该方法包含：
4.如权利要求1所述的方法，还包含：
5.如权利要求4所述的方法，还包含形成该间隙壁于该栅极结构旁以及该第一凹槽内。
6.如权利要求4所述的方法，其中该间隙壁底表面低于该浅沟隔离顶表面。
7.如权利要求1所述的方法，其中该...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏宇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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