半导体结构及其形成方法技术

技术编号:41334626 阅读:21 留言:0更新日期:2024-05-20 09:54
本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法,其中该半导体结构包含一基底,一栅极介电层,位于该基底上,其中该栅极介电层包含有两侧壁部分以及一水平部分,该水平部分位于该两侧壁部分之间,其中该水平部分的一高度低于该两侧壁部分的一高度,且该水平部分与该两侧壁部分相互垂直,以及一栅极导电层,位于该栅极介电层的该水平部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域,尤其是涉及一种具有不同厚度的氧化层的高压金属氧化物场效应(hv-mos)的结构与制作方法。


技术介绍

1、金属氧化物场效应晶体管(mosfet)被广泛应用于各种电路结构中,其中用作高压电路的工作结构的金属氧化物场效应晶体管又称为高压金属氧化物场效应晶体管(highvoltage mosfet,hv-mosfet)。

2、在高压集成电路制造中,常常会采用高压金属氧化物场效应晶体管阵列来提供大的输出电流。由于hv-mos导入高电压,因此会产生强烈的电场,尤其是在栅极边缘附近具有最大的电场,可能会导致电场穿过栅极并且造成元件的损坏。

3、因此,需要一种改良的hv-mos结构,可以降低上述问题发生的机率。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种半导体结构,包含一基底,一栅极介电层,位于该基底上,其中该栅极介电层包含有两侧壁部分以及一水平部分,该水平部分位于该两侧壁部分之间,其中该水平部分的一高度低于该两侧壁部分的一高度,且该水平部分与该两侧壁部分相互垂直,以及一栅极导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构,包含:

2.如权利要求1所述的半导体结构,其中每一个侧壁部分上还含有第一间隙壁以及第二间隙壁。

3.如权利要求2所述的半导体结构,其中该第一间隙壁的底面与该第二间隙壁的底面与该侧壁部分的顶面切齐。

4.如权利要求3所述的半导体结构,其中还包含有接触蚀刻停止层,覆盖该第二间隙壁以及该基底。

5.如权利要求2所述的半导体结构,其中还包含有空气间隙,位于该侧壁部分旁边,且该空气间隙位于该侧壁部分、该第二间隙壁与该接触蚀刻停止层之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构,其中该水平部分的底面与该两侧壁部分的底面切齐。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构,包含:

2.如权利要求1所述的半导体结构,其中每一个侧壁部分上还含有第一间隙壁以及第二间隙壁。

3.如权利要求2所述的半导体结构,其中该第一间隙壁的底面与该第二间隙壁的底面与该侧壁部分的顶面切齐。

4.如权利要求3所述的半导体结构,其中还包含有接触蚀刻停止层,覆盖该第二间隙壁以及该基底。

5.如权利要求2所述的半导体结构,其中还包含有空气间隙,位于该侧壁部分旁边,且该空气间隙位于该侧壁部分、该第二间隙壁与该接触蚀刻停止层之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构,其中该水平部分的底面与该两侧壁部分的底面切齐。

7.如权利要求1所述的半导体结构,其中该水平部分的底面与该基底的顶面切齐。

8.如权利要求1所述的半导体结构,其中该水平部分的底面低于该基底的顶面。

9.如权利要求1所述的半导体结构,其中该水平部分的该高度与该侧壁部分的该高度的比值介于0.7~0.95。

10.如权利要求1所述的半导体结构,其中该栅极导电层与该栅极介电层组合成栅极,且还包含有多个虚设栅极位于该栅极旁,其中该栅极的长度比该虚设栅极的长度更长。

11.一种半导体结构的形成方法,包含:

12.如权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡子仪黄士安
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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