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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含一基底，一栅极介电层，位于该基底上，其中该栅极介电层包含有两侧壁部分以及一水平部分，该水平部分位于该两侧壁部分之间，其中该水平部分的一高度低于该两侧壁部分的一高度，且该水平部分与该两...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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