【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管(metallic oxide semiconductor fieldeffect transistor，mosfet)的制造过程是在半导体基底中植入浅沟道隔离(shallowtrench isolation，sti)在浅沟道隔离之间的衬底区域制造n型金属氧化物半导体(n-metal-oxide-semiconductor，nmos)、p型金属氧化物半导体(p-metal-oxide-semiconductor，pmos)等多种半导体器件。
2、浅沟道隔离的作用是对各个半导体器件进行隔离，防止器件之间漏电流的产生等，浅沟道隔离围成基底的有源区。当浅沟道隔离形成以后，在有源区制造例如n型金属氧化物半导体、p型金属氧化物半导体等器件时，需要在基底表面生长栅介质层。
3、目前，栅介质层在有源区和浅沟道隔离的交界处的形成质量有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底中形成有浅槽隔离结构，在相邻浅槽隔离结构之间的基底区域为有源区；栅介质层，覆盖所述浅槽隔离结构的表面、以及所述有源区的基底顶面和拐角处，所述栅介质层包括采用沉积工艺形成的第一栅介质层。
3、相应的，本专利技术实施例还提供一种
4、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
5、本专利技术实施例提供的半导体结构中，栅介质层包括通过沉积工艺形成的第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖有源区拐角处(aa corner)。与通过生长工艺形成的栅介质层相比，在有源区拐角处(aa corner)，通过沉积工艺形成的第一栅介质层的厚度更大，因此通过沉积工艺形成的第一栅介质层，提高了有源区拐角处的栅介质层的厚度，从而提高了有源区拐角处的击穿电压，进而提高了半导体结构的性能，例如，有利于改善栅氧化层完整性斜坡电压测试(gate oxide integrity vramp，goi vramp)失败的问题，相应提高了半导体结构的可靠性。
6、本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，形成所述栅介质层的工艺包括沉积工艺，沉积工艺不易受应力集中的影响，故与生长工艺相比，在有源区拐角处(aacorner)，通过沉积工艺形成的第一栅介质层的厚度更大，因此通过沉积工艺形成的第一栅介质层能覆盖有源区拐角处，从而提高了有源区拐角处的栅介质层的厚度，因而提高了有源区拐角处的击穿电压，进而提高了半导体结构的性能，例如，有利于改善栅氧化层完整性斜坡电压测试失败的问题，相应提高了半导体结构的可靠性。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层仅包括所述第一栅介质层；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅介质层的致密度大于第一栅介质层的致密度。
4.权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层还包括位于所述第一栅介质层和所述有源区基底之间的第二栅介质层时，沿所述基底顶面的法线方向，所述第一栅介质层的厚度占所述栅介质层的总厚度的10％以及上。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区的基底与浅槽隔离结构的交界处形成有边缘凹坑；
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括测试单元区，所述测试单元区的有源区数量为多个；
7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺包括化学气相沉积工艺。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在，所述化学气相沉积工艺的参数包括：反应气体包括硅源气体和氧源气体，
10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述浅槽隔离结构的表面、以及所述有源区的基底顶面和拐角处的栅介质层的步骤中，所述栅介质层仅包括所述第一栅介质层；
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层的致密度大于所述第一栅介质层的致密度。
12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层还包括在所述第一栅介质层之前形成的第二栅介质层时，沿所述基底顶面的法线方向，所述第一栅介质层的厚度占所述栅介质层的总厚度的10％以及上。
13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述生长工艺包括炉管工艺。
14.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在提供基底的步骤之后，在形成栅介质层的步骤之前，还包括：对所述浅槽隔离结构的表面和有源区的基底表面进行清洗处理，适于去除氧化物；
15.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有源区的基底与浅槽隔离结构的交界处形成有边缘凹坑；
16.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括测试单元区，所述测试单元区的有源区数量为多个；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层仅包括所述第一栅介质层；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅介质层的致密度大于第一栅介质层的致密度。
4.权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层还包括位于所述第一栅介质层和所述有源区基底之间的第二栅介质层时，沿所述基底顶面的法线方向，所述第一栅介质层的厚度占所述栅介质层的总厚度的10％以及上。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区的基底与浅槽隔离结构的交界处形成有边缘凹坑；
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括测试单元区，所述测试单元区的有源区数量为多个；
7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺包括化学气相沉积工艺。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在，所述化学气相沉积工艺的参数包括：反应气体包括硅源气体和氧源气体，所述硅源气体包括四氢化硅和二氯二氢硅中的一种或两种，所述氧源气体包括氧气和一氧化二氮中的一种或两种。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑昊琦，朱宏亮，周欣，张党柱，王凤娇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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