晶圆及其制造方法技术

一种晶圆及其制造方法，晶圆制造方法包括：提供基底，所述基底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有导电层；形成覆盖所述导电层的电磁屏蔽层；在所述第一介质层上形成第二介质层，覆盖电磁屏蔽层；在所述第二介质层中形成导电结构，所述导电结构与所述导电层之间电连接；形成所述导电结构的步骤包括：在所述第二介质层中形成多个开口；在所述开口中填充导电材料层，所述导电材料层还覆盖于第二介质层上；采用化学机械研磨工艺，去除位于所述第二介质层上的导电材料层，保留位于所述开口中的导电材料层用于作为所述导电结构。本发明专利技术实施例提高形成导电结构的过程中，对化学机械研磨工艺的终点检测能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆及其制造方法。

技术介绍

1、在晶圆的制造工艺过程中，通常包括形成导电结构的工艺。例如：后段互连工艺中，形成一层或多层的金属互连线；又例如：在形成晶圆的顶层互连线之后，在顶层互连线上方的介质层中形成键合垫(bonding pad)。

2、其中，形成导电结构的工艺通常包括依次进行的沉积和化学机械研磨工艺。例如：键合垫主要通过先在凹槽中沉积阻挡层(barrier)和种子层(seed layer)，然后通过电化学镀膜工艺形成面铜，再通过化学机械研磨(cmp)工艺将面铜磨掉，形成键合垫。

3、在化学机械研磨工艺中，通常还会进行化学机械研磨终点(cmp end point)检测来检测何时完成化学机械研磨工艺。其中，一种基于电磁感应的终点检测方法的原理是：采用电磁感应传感器，施加驱动电压产生初始磁场线，导电材料受到磁感应线影响产生涡流电流，涡流电流会重新在空间形成新的磁感应线，这种新磁感线会与初始磁感应线抵消，导致信号检测电压产生变化，通过电流信号与导电材料膜厚之间的关系计算出剩余导电材料的厚度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为导电材料；所述导电结构贯穿位于所述电磁屏蔽层上的第二介质层，且与所述电磁屏蔽层相接触。

3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为绝缘介质材料；所述导电结构贯穿位于所述导电层上的电磁屏蔽层和第二介质层，且与所述导电层相接触。

4.如权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述导电层为第一互连线；所述第一互连线下方的所述第一介质层中还形成有第二互连线；

5.如权利要求1至3任一项所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层用于作为顶部电磁屏...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为导电材料；所述导电结构贯穿位于所述电磁屏蔽层上的第二介质层，且与所述电磁屏蔽层相接触。

3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为绝缘介质材料；所述导电结构贯穿位于所述导电层上的电磁屏蔽层和第二介质层，且与所述导电层相接触。

4.如权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述导电层为第一互连线；所述第一互连线下方的所述第一介质层中还形成有第二互连线；

5.如权利要求1至3任一项所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层用于作为顶部电磁屏蔽层；

6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的厚度为0.01μm至1mm。

7.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料包括金银金属合金、复合铜纤维、镀镍导电合金、铝箔纤维复合布和含导电颗粒导电胶中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述导电层为第一互连线；所述第一互连线下方的所述第一介质层中还形成有第二互连线；所述导电结构为键合垫。

9.一种晶圆制造方法，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为导电材料；在形成所述开口的步骤中，所述开口暴露出所述电磁屏蔽层。

11.如权利要求9所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为绝缘介质材料；在形成所述开口的步骤中，所述开口贯穿所述第二介质层和所述电磁屏蔽层且暴露出所述导电层。

12.如权利要求11所述的晶圆制造方法，其特征在于，提供所述基底的步骤中，所述导电层为第一互连线；所述第一互连线下方的所述第一介质层中还...

【专利技术属性】
技术研发人员：隋凯，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：