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一种晶圆及其制造方法，晶圆制造方法包括：提供基底，所述基底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有导电层；形成覆盖所述导电层的电磁屏蔽层；在所述第一介质层上形成第二介质层，覆盖电磁屏蔽层；在所述第二介质层中形成导电结构，所述导电结构与所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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