外延片及其制造方法、发光二极管技术

本申请涉及一种外延片及其制造方法、发光二极管，所述外延片包括：衬底，所述衬底具有第一表面；以及外延层，形成于所述第一表面上，所述外延层包括形成于所述第一表面的第一子层，所述第一子层具有朝向所述第一表面的第二表面；其中，所述第一表面和所述第二表面之间形成有空洞。本申请中，由于衬底与第一子层之间能够形成有空洞，能够减少剥离损伤，并且第一子层与衬底不再全接触，在利用激光分离这种第一子层和衬底时，有利于激光更快速的分离衬底与外延层，提高激光剥离效率，本申请的外延片的制造方法中，通过控制横向生长速度和纵向生长速度，使得该空洞得以形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led，尤其涉及外延片及其制造方法、发光二极管。

技术介绍

1、发光芯片在外延生长工序完成后需要转移到驱动背板上，以制造显示面板。在芯片转移到驱动背板的过程中，需要将生长在基板上的外延层从基板上剥离，目前，常常采用激光剥离(llo，laserlift-off)的方式实现外延层的剥离，激光剥离时不可避免的会造成外延层的损伤。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供外延片及其制造方法、发光二极管，旨在降低激光剥离过程中对外延层造成的损害。

2、一种外延片，包括：

3、衬底，所述衬底具有第一表面；以及

4、外延层，形成于所述第一表面上，所述外延层包括形成于所述第一表面的第一子层，所述第一子层具有朝向所述第一表面的第二表面；

5、其中，所述第一表面和所述第二表面之间形成有空洞。

6、上述外延片中，由于衬底与第一子层之间能够形成有空洞，能够减少剥离损伤，并且第一子层与衬底不再全接触，在利用激光分离这种第一子层和衬底时，有利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种外延片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述衬底为图形化衬底，所述衬底包括衬底本体和多个阵列凸设于所述衬底本体上的凸起；

3.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凹槽为锥形槽。

4.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起的外壁与所述凹槽的槽壁之间互不接触。

5.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起的外壁与所述凹槽的槽壁之间局部相互接触。

6.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管经由权利要求1-5任一项所述的外延片制成。

7.一种外延片的制造方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种外延片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述衬底为图形化衬底，所述衬底包括衬底本体和多个阵列凸设于所述衬底本体上的凸起；

3.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凹槽为锥形槽。

4.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起的外壁与所述凹槽的槽壁之间互不接触。

5.如权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起的外壁与所述凹槽的槽壁之间局部相互接触。

6.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管经由权利要求1-5任一项所述的外延片制成。

7.一种外延片的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴圆圆，王涛，郭磊，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：