温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，先形成一浅沟隔离于基底内，然后形成一栅极结构于该浅沟隔离以及该基底上，形成一图案化掩模于浅沟隔离以及栅极结构上，进行一蚀刻制作工艺去除部分浅沟隔离以形成第一凹槽于栅极结构一...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。