【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体存储器设备，更具体地，涉及一种减少由于表面贴装技术(surface mount technology，smt)工艺导致的操作系统(operating system，os)数据的可靠性劣化的闪存(flash memory)及其操作方法。
技术介绍
1、例如，相关的半导体存储器可以被分类为易失性存储器或非易失性存储器。通常，与相关的非易失性存储器相比，相关的易失性存储器(例如，动态随机访问存储器(dram)或静态随机访问存储器(sram))可以表现出更快的读取和/或写入速度。然而，当施加到相关的易失性存储器的电力被切断时，存储在相关的易失性存储器中的数据可能会消失。相反，相关的非易失性存储器即使在电力被切断时也可以保留数据。
2、相关的非易失性存储器的代表性示例可以是闪存。相关的闪存可以在一个存储单元(memory cell)中存储两个或更多个比特的多比特数据。取决于阈值电压分布，相关的闪存可以具有至少一个擦除状态和多个编程(例如，写入)状态。
3、相关的闪存可以用作电子设备的存储设备，电子设备诸如但不限于计算机、智能手机、数码相机等。例如，存储设备可以被配置为存储操作系统(os)数据以及其他类型的数据。在存储设备被贴装在印刷电路板上之前，os数据可以被存储在存储设备中。
4、表面贴装技术(smt)和/或红外回流(ir reflow)可用于将存储设备贴装到印刷电路板上。然而，存储在相关的闪存中的os数据的可靠性可能会由于贴装工艺而劣化。例如，闪存的存储单元的阈值电压分布可
5、因此，需要进一步改进存储设备技术，因为对可靠os数据的需求可能受到存储设备制造工艺的限制。本文提出了改进。这些改进也适用于其他存储器存储技术和采用这些技术的标准。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种闪存，其可以降低由于表面贴装技术(smt)工艺中的高温劣化而生成错误比特的概率。
2、本公开的各方面提供了一种闪存，该闪存可以通过使用特定的状态图案来减少由于smt工艺导致的操作系统(os)数据的可靠性降低。
3、根据本公开的一个方面，提供了一种操作闪存的方法。该方法包括擦除存储器块中的多个存储单元，将耦合到存储器块的字线分类为要用os数据编程的第一字线和要用状态图案编程的第二字线，用多位编程将os数据编程到耦合到第一字线的多个存储单元的第一存储单元中，以及将耦合到第二字线的多个存储单元的第二存储单元编程为具有状态图案。
4、根据本公开的一个方面，提供了一种用于在smt工艺之前编程os数据的闪存。该闪存包括多个存储单元；第一字线，被配置为在smt工艺之前将os数据编程到耦合到第一字线的多个存储单元的第一存储单元中；以及第二字线，与第一字线相邻，被配置为在smt工艺之前将耦合到第二字线的多个存储单元的第二存储单元编程为具有状态图案。
5、根据本公开的一个方面，提供了一种用于在smt工艺之前编程os数据的存储设备。存储设备包括闪存和存储器控制器。该闪存包括多个存储单元、第一字线和第二字线。第一字线耦合到多个存储单元的第一存储单元，并被配置为用os数据编程。第二字线与第一字线相邻，耦合到多个存储单元的第二存储单元，并且被配置为以状态图案编程。存储器控制器被配置为控制闪存以多位编程将os数据编程到第一存储单元并将第二存储单元编程到状态图案。存储器控制器还被配置为在smt工艺之前改变os数据和状态图案的编程排序。
6、额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中变得显而易见，或者可以通过对所呈现的实施例的实践来了解。
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1.一种操作闪存的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，用多位编程将OS数据编程到第一存储单元中包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.一种用于编程操作系统OS数据的闪存，包括：
12.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配置为，对第二存储单元中的每一个执行单级单元SLC编程，以使第二存储单元的每一个具有相同的状态。
13.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配置为，将第二单元编程为具有彼此相邻的多个状态。>
14.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配置为，在对第二存储单元进行编程的同时，向第二存储单元施加对应于所述状态图案的一个或多个电压电平。
15.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配置为，在对第二存储单元进行编程的同时，向第二存储单元施加增量步进脉冲电压。
16.根据权利要求11所述的闪存，其中，多个存储单元被配置为，基于SMT工艺已经完成的确定，通过执行数据迁移操作来恢复多个存储单元的阈值电压。
17.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线在从基底开始的垂直方向上位于第一字线上。
18.一种用于编程操作系统OS数据的存储设备，包括：
19.根据权利要求18所述的存储设备，其中，存储器控制器被配置为，对第二存储单元执行单级单元SLC编程以使第二存储单元具有相同的状态。
20.根据权利要求18所述的存储设备，其中，存储器控制器被配置为，将第二单元编程为具有彼此相邻的多个状态。
...【技术特征摘要】
1.一种操作闪存的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，用多位编程将os数据编程到第一存储单元中包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，第二存储单元的编程包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.一种用于编程操作系统os数据的闪存，包括：
12.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配置为，对第二存储单元中的每一个执行单级单元slc编程，以使第二存储单元的每一个具有相同的状态。
13.根据权利要求11所述的闪存，其中，第二字线被配...
【专利技术属性】
技术研发人员：安孝珍，申东右，金成国，李昌骏，洪性俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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