【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置，并且更具体地，涉及用于减小电压波动的影响的存储器装置。
技术介绍
1、最近，随着信息通信装置已经变得多功能，存储器装置被期望具有大容量和高集成度。随着存储器单元的尺寸减小以实现高集成度，用于存储器装置的操作和电连接的包括在存储器装置中的操作电路和/或布线结构变得更加复杂。因此，对具有更高集成度和优异电特性的存储器装置的需求增加。为了提高存储器装置的存储容量和集成度，已经开发了在半导体基底上垂直形成的垂直沟道晶体管，以代替在半导体基底上平面形成的平面沟道晶体管。
技术实现思路
1、提供了具有电压驱动器电路和去耦电容器的架构的存储器装置，以减少与包括垂直沟道晶体管的多个存储器单元相关的电压波动的影响。
2、根据公开的实施例的一种存储器装置包括：外围电路结构；以及单元阵列结构，与外围电路结构叠置，其中，单元阵列结构包括存储器单元区域，存储器单元区域包括在第一水平方向上延伸的多条字线和在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的多条位线，其中，第一水平方向和第二水平...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求1所述的存储器装置，
4.根据权利要求3所述的存储器装置，
5.根据权利要求3所述的存储器装置，
6.根据权利要求5所述的存储器装置，
7.根据权利要求5所述的存储器装置，
8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，
9.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，
10.一种存储器装置，包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，
12....
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求1所述的存储器装置，
4.根据权利要求3所述的存储器装置，
5.根据权利要求3所述的存储器装置，
6.根据权利要求5所述的存储器装置，
7.根据权利要求5所述的存储器装置，
8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，
9.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，
10.一种存储器装置，包括：
11.根据权利要求...
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