【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置是其中即使供电中断时数据也不会消失的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪存等。
3、存储器装置可以配置有多个柱结构。每个柱结构可以贯穿其中导电层和绝缘层交替地层叠的栅极结构。存储器单元可以位于柱结构和导电层彼此交叉的位置。一个柱结构中包括的存储器单元形成一个沟道区域。需要改进柱结构以增加三维配置的存储器装置中的存储器单元的集成度。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括其中导电层和绝缘层交替地层叠的栅极层叠结构、垂直地贯穿栅极层叠结构并且通过切割结构彼此隔离的第一沟道结构和第二沟道结构、连接到第一沟道结构的第一存储器单元、以及连接到第二沟道结构的第二存储器单元；外围电路，其被配置为执行将数据存储在共同连接到字线的第一存储器单元和第二存储器单元中的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路以执行编程操作，编程操作包括：对第一存储器单元执行并然后对第二存储器单元执行的中间编程操作，以及被执
2、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器装置的方法，其包括：对第一存储器单元执行中间编程操作，第一存储器单元连接到从第一沟道结构和第二沟道结构中选择的第一沟道结构，第一沟道结构和第二沟道结构垂直地贯穿栅极层叠结构并通过切割结构彼此隔离，其中栅极层叠结构包括交替地层叠的导电层和绝缘层；对第二存储器单元执行中间编程操作，第二存储器单元连接到第二沟道结构并且共同连接到与第一存储器单元连接的字线；以及执行最终编程操作以使第一存储器单元和第二存储器单元的阈值电压为与目标编程状态相对应的阈值电压，其中中间编程操作被执行以使第一存储器单元和第二存储器单元的阈值电压为与擦除状态和中间状态中的任何一个相对应的阈值电压。
3、根据本公开的又一方面，提供了一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括柱结构，该柱结构包括垂直地形成在基板上的第一沟道区域中包括的第一存储器单元和与第一沟道区域平行地形成的第二沟道区域中包括的第二存储器单元；地址解码器，其被配置为执行中间编程操作，该中间编程操作向共同连接到第一存储器单元和第二存储器单元的字线提供第一中间编程电压并然后向字线提供第二中间编程电压，并且地址解码器被配置为执行向字线提供编程电压的最终编程操作；以及页缓冲器，其被配置为向分别连接到第一存储器单元和第二存储器单元的位线提供与预充电相关联的电压，其中，在向字线提供第一中间编程电压和第二中间编程电压中的每一个时，提供给连接到第一存储器单元的位线的第一预充电电压和提供给连接到第二存储器单元的位线的第二预充电电压具有不同的幅度(magnitude)。
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1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以在所述中间编程操作中向所述字线施加中间编程电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当正在执行对所述第一存储器单元的所述中间编程操作时，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第二存储器单元的位线施加编程禁止电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当正在执行对所述第二存储器单元的所述中间编程操作时，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元的位线施加编程禁止电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述中间编程操作中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有低于所述中间状态的目标编程状态的存储器单元的位线施加编程禁止电压。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述中间编程操作中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有高于所述中间状态的目
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述最终编程操作包括多个编程循环，并且
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述编程电压的幅度基于所述多个编程循环的执行次数而以步进电压的幅度增加。
9.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第一存储器单元的所述中间编程操作时，向连接到所述第二存储器单元的位线施加编程禁止电压。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第二存储器单元的所述中间编程操作时，向连接到所述第一存储器单元的位线施加编程禁止电压。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个的所述中间编程操作时，向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有低于所述中间状态的目标编程状态的存储器单元的位线施加编程禁止电压。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个的所述中间编程操作时，向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有高于所述中间状态的目标编程状态的存储器单元的位线施加编程允许电压。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述最终编程操作包括多个编程循环，并且
15.根据权利要求9所述的方法，其中，使用增量步进脉冲编程ISPP方法来执行所述最终编程操作。
16.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，在向所述字线提供所述第一中间编程电压时，所述第一预充电电压是编程允许电压，并且所述第二预充电电压是编程禁止电压。
18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，在向所述字线提供所述第二中间编程电压时，所述第一预充电电压是编程禁止电压，并且所述第二预充电电压是编程允许电压。
19.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述最终编程操作是将所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值电压增加到与目标编程状态相对应的阈值电压的操作。
20.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述中间编程操作被执行以使得所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值电压为与擦除状态和中间状态中的任何一个相对应的阈值电压。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以在所述中间编程操作中向所述字线施加中间编程电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当正在执行对所述第一存储器单元的所述中间编程操作时，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第二存储器单元的位线施加编程禁止电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当正在执行对所述第二存储器单元的所述中间编程操作时，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元的位线施加编程禁止电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述中间编程操作中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有低于所述中间状态的目标编程状态的存储器单元的位线施加编程禁止电压。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述中间编程操作中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以向连接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的具有高于所述中间状态的目标编程状态的存储器单元的位线施加编程允许电压。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述最终编程操作包括多个编程循环，并且
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述编程电压的幅度基于所述多个编程循环的执行次数而以步进电压的幅度增加。
9.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第一存储器单元的所述中间编程操作时，向连接到所述第二存储器单元的位线施加编程禁止电压。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，当正在执行对所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：文映朝，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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