【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种存储器控制器、存储系统及其操作方法。
技术介绍
1、在移动产品应用领域中，nand flash设备已专用于解决高密度固态存储。nandflash因容量大、访问速度快，被广泛应用在各种需要大量数据存储的领域。由于nandflash的工艺不能保证它的半导体
阵列在它的生命周期中可靠地保持性能，所以nand flash在生产和使用过程中会产生坏块，导致存储数据的丢失。而由于nand flash物理介质的特性，容易受到位翻转干扰而产生数据错误。因此，在应用nand flash的系统中，如何有效率的进行错误的检测和纠正以保持数据的可靠性，一直是有待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种存储器控制器、存储系统及其操作方法，以高效进行错误的检测和纠正，提升数据的读取可靠性。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器器件，所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，所述存储器控制器被配置为：
3、在读取失败时依据所述存储块的擦除循环次数，查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表；所述读取重试表包括多个读取偏压组；
4、依据所述读取重试表中的多个读取偏压组，对所述存储块执行读取重试操作。
5、在一些实施例中，所述擦除循环次数依据若干个所述存储块的擦除循环次数进行分类得到初期阶段、前期阶段以及末期阶段。
6、在一些实施例中，所述存储
7、依据所述存储块的存储状态，提取对应于所述擦除循环次数所属范围内的所述存储状态的读取重试表。
8、在一些实施例中，所述存储状态依据所述存储块的编程方式进行分类得到单级存储状态与多级存储状态。
9、在一些实施例中，所述多级存储状态还包括按照所述存储块的已存储量进行分类得到的多阶满存存储状态与多阶未满存存储状态。
10、在一些实施例中，所述存储器控制器还被配置为：
11、依据所述存储块的测试项目，提取对应于所述擦除循环次数所属范围内的所述测试项目的读取重试表。
12、在一些实施例中，所述存储器控制器还被配置为：
13、在读取失败时依据多个所述存储块的多个擦除循环次数的平均值，查找对应于所述多个擦除循环次数的平均值所属范围的读取重试表。
14、在一些实施例中，所述读取偏压组包括不同字线的读取电压参数。
15、在一些实施例中，所述存储器控制器还被配置为：
16、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
17、基于读取重试表群中多个所述读取重试表的存储排布先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
18、在一些实施例中，所述存储器控制器还被配置为：
19、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
20、基于读取重试表群中多个所述读取重试表的最近使用时间先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
21、在一些实施例中，所述存储器控制器还被配置为：
22、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
23、基于读取重试表群中多个所述读取重试表进行读取操作时的读取成功度的先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
24、第二方面，本申请实施例还提供了一种存储系统，包括：
25、存储器器件，所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，所述存储块包括若干个存储单元；以及，
26、存储器控制器，用于控制所述存储器器件，其中，所述存储器控制器被配置为：
27、在读取失败时依据所述存储块的擦除循环次数，查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表；所述读取重试表包括多个读取偏压组；
28、依据所述读取重试表中的多个读取偏压组，对所述存储块执行读取重试操作。
29、第三方面，本申请实施例还提供了一种存储系统的操作方法，所述存储系统包括存储器器件和存储器控制器；所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，所述存储块包括若干个存储单元，所述存储器控制器用于控制所述存储器器件，所述操作方法包括步骤：
30、所述存储器控制器在读取失败时依据所述存储块的擦除循环次数，查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表；所述读取重试表包括多个读取偏压组；
31、所述存储器控制器依据所述读取重试表中的多个读取偏压组，对所述存储块执行读取重试操作。
32、在一些实施例中，所述擦除循环次数依据若干个所述存储块的擦除循环次数进行分类得到初期阶段、前期阶段以及末期阶段。
33、在一些实施例中，所述的存储系统的操作方法还包括：
34、所述存储器控制器依据所述存储块的存储状态，提取对应于所述擦除循环次数所属范围内的所述存储状态的读取重试表。
35、在一些实施例中，所述存储状态依据所述存储块的编程方式进行分类得到单级存储状态与多级存储状态；所述多级存储状态还包括按照所述存储块的已存储量进行分类得到的多阶满存存储状态与多阶未满存存储状态。
36、在一些实施例中，所述的存储系统的操作方法还包括：
37、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
38、基于读取重试表群中多个所述读取重试表的存储排布先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
39、在一些实施例中，所述的存储系统的操作方法还包括：
40、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
41、基于读取重试表群中多个所述读取重试表的最近使用时间先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
42、在一些实施例中，所述的存储系统的操作方法还包括：
43、查找对应于所述擦除循环次数所属范围的读取重试表群；
44、基于读取重试表群中多个所述读取重试表进行读取操作时的读取成功度的先后顺序，依序加载所述读取重试表群中的所述读取重试表进行读取重试操作。
45、本申请实施例提供的一种存储器控制器、存储系统及其操作方法，在读取失败时依据存储块的擦除循环次数，查找对应于擦除循环次数所属范围的读取重试表，通过读取重试表中的多个读取偏压组中的重试读取电压，对所述存储块执行读取重试操作。本申请基于原始对存储器器件已有的最优读取偏压组中的重试读取电压，通过存储块的擦除循环次数来索引查找对应于擦除循环次数所属范围的读取重试表，既能够提高索引查找最优的读取偏压组的效率，还能提升索引查找到的读取偏压组的适配度。
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1.一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器器件，所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述擦除循环次数依据若干个所述存储块的擦除循环次数进行分类得到初期阶段、前期阶段以及末期阶段。
3.根据权利要求1或2所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储状态依据所述存储块的编程方式进行分类得到单级存储状态与多级存储状态。
5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其特征在于，所述多级存储状态还包括按照所述存储块的已存储量进行分类得到的多阶满存存储状态与多阶未满存存储状态。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
8.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述读取偏压组包括不同字线的读取电压参
9.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
10.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
11.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
12.一种存储系统，其特征在于，包括：
13.一种存储系统的操作方法，其特征在于，所述存储系统包括存储器器件和存储器控制器；所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，所述存储块包括若干个存储单元，所述存储器控制器用于控制所述存储器器件，所述操作方法包括步骤：
14.根据权利要求13所述的存储系统的操作方法，其特征在于，所述擦除循环次数依据若干个所述存储块的擦除循环次数进行分类得到初期阶段、前期阶段以及末期阶段。
15.根据权利要求13或14所述的存储系统的操作方法，其特征在于，还包括：
16.根据权利要求15所述的存储系统的操作方法，其特征在于，所述存储状态依据所述存储块的编程方式进行分类得到单级存储状态与多级存储状态；所述多级存储状态还包括按照所述存储块的已存储量进行分类得到的多阶满存存储状态与多阶未满存存储状态。
17.根据权利要求13所述的存储系统的操作方法，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求13所述的存储系统的操作方法，其特征在于，还包括：
19.根据权利要求13所述的存储系统的操作方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器器件，所述存储器器件包括若干个存储块，所述存储块用于存储数据，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述擦除循环次数依据若干个所述存储块的擦除循环次数进行分类得到初期阶段、前期阶段以及末期阶段。
3.根据权利要求1或2所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储状态依据所述存储块的编程方式进行分类得到单级存储状态与多级存储状态。
5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其特征在于，所述多级存储状态还包括按照所述存储块的已存储量进行分类得到的多阶满存存储状态与多阶未满存存储状态。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
8.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述读取偏压组包括不同字线的读取电压参数。
9.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
10.根据权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄真，李康，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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