【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种半导体器件、存储器器件及存储器系统。
技术介绍
1、随着存储器技术的快速发展，存储器单元的容量和单位存储密度逐步增加，因此需要更多的用于控制存储器单元的外围电路，这样会造成外围电路的占用面积增加。
技术实现思路
1、本申请提供了一种可至少部分解决上述问题或其他技术问题的半导体器件、存储器器件及存储器系统。
2、本申请一方面提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括第一区域，第二区域以及第三区域；在第一区域、第二区域以及第三区域内分别具有第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构以及第三沟槽隔离结构，在垂直于衬底的方向上，第一沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸、第二沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸以及第三沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸依次递减。
3、在一些实施方式中，还包括：设置在第一区域内的第一电路；设置在第二区域内的第二电路；以及设置在第三区域内的第三电路；其中，第一电路的工作电压、第二电路的工作电压以及第三电路的工作电压依次递减。在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电路包括字线驱动器。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二电路包括至少部分页缓冲器。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽隔离结构在所述衬底表面处的沟槽宽度大于所述第二沟槽隔离结构在所述衬底表面处的沟槽宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述衬底的与所述页缓冲器的高压页缓冲电路对应的部分内具有所述第二沟槽隔离结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电路包括字线驱动器。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二电路包括至少部分页缓冲器。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽隔离结构在所述衬底表面处的沟槽宽度大于所述第二沟槽隔离结构在所述衬底表面处的沟槽宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述衬底的与所述页缓冲器的高压页缓冲电路对应的部分内具有所述第二沟槽隔离结构。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第三沟槽隔离结构在所述衬底中的延伸尺寸与所述第四沟槽隔离结构在所述衬底中的延伸尺寸相同。
9.根据权利要求2所述半导体器件，其中，所述第一电路、所述第二电路以及所述第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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