【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体装置以及用于形成半导体装置的方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，平面存储器单元的存储密度接近上限。
技术实现思路
1、在一个方面中，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括垂直晶体管和存储件。每个垂直晶体管包括：半导体层，该半导体层具有低于一皮安的漏电值并且沿垂直方向延伸；以及栅极结构，该栅极结构与半导体层的一侧耦合。每个存储件与垂直晶体管的半导体层耦合。半导体装置还包括被配置为将垂直晶体管与外围电路耦合的键合层。垂直晶体管设置在键合层与存储件之间。
2、在一些实施方式中，半导体装置还包括：位线，每条位线沿第一横向方向延伸，并且与半导体层耦合；以及栅极线，每条栅极线沿第二横向方向延伸，并且与栅极结构耦合。垂直方向、第一横向方向和第二横向方向彼此垂直。
3、在一些实施方式中，两个...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，两个相邻的垂直晶体管的所述栅极结构设置在每个垂直晶体管的同一侧上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，两个相邻的垂直晶体管的所述栅极结构设置在每个垂直晶体管的两个相对侧上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极电极以及位于所述栅极电极与所述半导体层之间的栅极电介质。
7...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，两个相邻的垂直晶体管的所述栅极结构设置在每个垂直晶体管的同一侧上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，两个相邻的垂直晶体管的所述栅极结构设置在每个垂直晶体管的两个相对侧上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极电极以及位于所述栅极电极与所述半导体层之间的栅极电介质。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个垂直晶体管通过直接欧姆触点或存储节点触点与对应的所述存储件耦合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括跨越所述键合层耦合到所述垂直晶体管的外围电路。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括焊盘引出互连层，并且所述存储件设置在所述垂直晶体管与所述焊盘引出互连层之间。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括焊盘引出互连层，并且所述外围电路设置在所述焊盘引出互连层与所述垂直晶体管之间。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括inxgayznzo、inxgaysizo、inxsnyznzo、inxznyo、znxo、znxsnyo、znxoyn、zrxznysnzo、snxo、hfxinyznzo、gaxznysnzo、alxznysnzo、ybxgayznzo和inxgayo中的一者或组合。
12.一种用于形成半导体存储器装置的方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：形成与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，刘威，陈亮，夏志良，霍宗亮，杨远程，赵冬雪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。