【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地，涉及半导体结构及制造半导体结构的方法、存储器、存储系统。
技术介绍
1、随着人工智能、大数据、物联网、移动通信、移动设备和云存储领域的兴起和发展，对诸如三维半导体存储器件等半导体结构的存储密度的要求也越来越高。然而随着半导体结构的存储密度的增大，其中具有存储功能的电容结构的尺寸越来越小，进而导致电容结构的形成工艺难度越来越大，对半导体结构的性能产生了较大影响。
技术实现思路
1、本申请提出的实施方式可解决或部分解决上述
技术介绍
部分提出的不足或现有技术中的其它不足。
2、本申请提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：晶体管，包括沿第一方向设置的第一端；以及电容器，包括与所述晶体管的所述第一端耦接并沿所述第一方向延伸的第一电极层，其中，所述第一电极层与所述第一端耦接的部分沿第二方向的宽度小于所述第一电极层的其他部分沿所述第二方向的宽度，所述第二方向相交于所述第一方向。
3、在一个实施方式中，所述电容器还包括第二电极层、以及位于所述第一电极层和...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电容器还包括第二电极层、以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的电容介质层，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一电极层沿所述第二方向是连续的。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体结...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电容器还包括第二电极层、以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的电容介质层，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一电极层沿所述第二方向是连续的。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
8.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，
9.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一电极层的、与所述第一端耦接的部分与所述第一电极层的其他部分沿所述第一方向呈台阶结构，其中所述台阶结构中的台阶位于所述第一支撑层中。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体结构，其中，所述第一电极层与所述第一端耦接的部分沿所述第二方向的两个侧壁之间的距离小于所述第一电极层的其他部分沿所述第二方向的两个侧壁之间的距离。
11.一种制造半导体结构的方法，其中，所述半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：张成，姚森，王猛，李刚，蔡志勇，刘启世，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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