存储器及其编程方法技术

技术编号:46509124 阅读:5 留言:0更新日期:2025-09-26 19:27
本公开涉及存储器及其编程方法和读取方法,所述编程方法包括:获取存储器的待编程存储单元的编程温度,其中,编程温度为待编程存储单元的温度;施加编程电压至待编程存储单元以改变待编程存储单元的存储状态;对待编程存储单元施加验证电压以使待编程存储单元导通,在第一感测时间后确定待编程存储单元的位线电压是否高于第一目标电压;如果是,则在第二感测时间后,确定待编程存储单元的位线电压是否高于第二目标电压,如果是,则停止对待编程单元的编程,其中,第一感测时间包括根据编程温度调整的第一温度补偿时间,且第二感测时间包括根据编程温度而调整的第二温度补偿时间,第一温度补偿时间和第二温度补偿时间不同。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储装置,更具体地,涉及存储器的编程方法、读取方法及设备。


技术介绍

1、闪速存储器是一种非易失性存储器,其能够在不加电的情况下保持所存储的数据。相较于传统硬盘,闪速存储器具有更快的读取速度、更低的功耗、更好的抗震性等优点,也因此被越来越多的应用。例如,闪速存储器常被用到诸如个人计算机、数字相机、数字媒体播放器、数字记录仪、车辆、无线装置、蜂窝电话和可拆卸存储模块的电子系统中。随着闪速存储器应用领域的扩大,其也面临越来越复杂的应用环境,因此,在不同温度下的可靠性成为了闪速存储器的重要产品验证项目。

2、在对存储器的存储单元编程后,各存储单元的阈值电压改变,以实现信息存储。在使用存储器的过程中,可能面对低温编程、高温读取;高温编程、低温读取等情况。然而,闪速存储器中多晶硅沟道由于其物理特性而对温度较为敏感,其电阻对于温度有着较高的依赖关系。例如,在较低的编程温度下,存储状态的阈值电压分布可能较宽,当在高温下读取时,存储单元的阈值电压发生漂移,阈值电压分布展宽可能不同,存储状态之间的差别也可能变化。这样的温度依赖关系可能导致编程不同阶段确本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器的编程方法,包括:

2.根据权利要求1所述的编程方法,还包括:

3.根据权利要求1所述的编程方法,其中,

4.根据权利要求3所述的编程方法,其中,所述第一预定感测时间小于所述第二预定感测时间。

5.根据权利要求3所述的编程方法,还包括:

6.根据权利要求5所述的编程方法,其中,所述参考温度为85℃。

7.根据权利要求3所述的编程方法,其中,所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间分别根据所述第一编程温度和所述第二编程温度下对应时间段内所述待编程存储单元导通时感测电流随时间的变化曲线获取。

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【技术特征摘要】

1.一种存储器的编程方法,包括:

2.根据权利要求1所述的编程方法,还包括:

3.根据权利要求1所述的编程方法,其中,

4.根据权利要求3所述的编程方法,其中,所述第一预定感测时间小于所述第二预定感测时间。

5.根据权利要求3所述的编程方法,还包括:

6.根据权利要求5所述的编程方法,其中,所述参考温度为85℃。

7.根据权利要求3所述的编程方法,其中,所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间分别根据所述第一编程温度和所述第二编程温度下对应时间段内所述待编程存储单元导通时感测电流随时间的变化曲线获取。

8.根据权利要求7所述的编程方法,其中,当所述变化曲线的斜率时间减小时,将所述第一温度补偿时间设置为小于所述第二温度补偿时间。

9.根据权利要求1所述的编程方法,其中,所述第一编程操作为粗编程操作,所述第二编程操作为精编程操作。

10.根据权利要求1所述的编程方法,其中,所述第二编程电压大于所述第一编程电压;或者,所述第一编程验证电压大于所述第二编程验证电压。

11.根据权利要求3所述的编程...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈家骏魏华征
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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