【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法、硬质载具。
技术介绍
1、目前，在制造存储器的过程中，会采用多晶圆堆叠的结构设计，以增加存储器的存储容量。为了实现多晶圆的堆叠，需要对晶圆进行减薄处理，以得到厚度较薄的薄化晶圆。然而，薄化晶圆的总厚度变化(total thickness variation，ttv)太大，即薄化晶圆的厚度在不同区域的差异较大，会降低由多个堆叠的薄化晶圆制备得到的堆叠芯片的封装可靠性。
2、因此，需要提出一种技术方案以减小薄化晶圆的总厚度变化以提高堆叠芯片的封装可靠性。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体器件及其制造方法、硬质载具，以减小薄化晶圆在不同区域的厚度差异。
2、第一方面，本申请的一些实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
3、采用临时键合胶层将待薄化晶圆固定于硬质载具上，所述待薄化晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面面向所述硬质载具，所述硬质载具包括面向所述待薄化晶圆的硬质承载面，所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括沿着所述待薄化晶圆的边缘设置的环形凹槽，所述环形凹槽向远离所述硬质承载面的方向内陷；
3.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括位于切割道区域的凹槽，所述凹槽向远离所述硬质承载面的方向内陷；
4.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括位于所述待薄化晶圆的多个芯片区域的多个芯片凹凸结构；
5.根据权利要求1所述半导体器件的制...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括沿着所述待薄化晶圆的边缘设置的环形凹槽，所述环形凹槽向远离所述硬质承载面的方向内陷；
3.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括位于切割道区域的凹槽，所述凹槽向远离所述硬质承载面的方向内陷；
4.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸结构包括位于所述待薄化晶圆的多个芯片区域的多个芯片凹凸结构；
5.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述临时键合胶层的厚度大于或等于1微米且小于或等于10微米。
6.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用临时键合胶层将待薄化晶圆固定于硬质载具上包括：
7.根据权利要求6所述半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述初始胶体层进行加热处理的加热温度小于或等于350℃。
8.根据权利要求1所述半导体器件的制造...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，莫平，曾心如，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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