半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了三维(3D)半导体装置和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体装置包括沟道结构的阵列，每个沟道结构在堆叠结构中竖直地延伸。堆叠结构包括第一导电层以及位于第一导电层之上的第二导电层。半导体装置还包括：第一隔离结构，每个第一隔离结构沿第一横向方向延伸并且将第一导电层分隔成第一导电线；以及第二隔离结构，每个第二隔离结构沿第一横向方向延伸并且将第二导电层分隔成第二导电线。每个第一隔离结构通过沿第一横向方向对准的至少一行沟道结构与第二隔离结构分隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开一般涉及半导体技术的领域，并且更具体地，涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，平面存储器单元的存储密度接近上限。

2、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。

技术实现思路

1、本公开的实施方式提供了半导体装置及其制造方法。

2、本公开的一个方面提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：沟道结构的阵列，每个沟道结构在堆叠结构中竖直地延伸，该堆叠结构包括第一导电层以及位于第一导电层之上的第二导电层；第一隔离结构，每个第一隔离结构沿第一横向方向延伸并且将第一导电层分隔成第一导电线；以及第二隔离结构，每个第二隔离结构沿第一横向方向延伸并且将第二导电层分隔成第二导电线，其中，每个第一隔离结构通过沿第一横向方向对准的至少一行沟道结构与第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：

11.根据权利要求1所述的半导体装置，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：

11.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个沟道结构包括：

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个沟道结构包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中：

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：

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