管理半导体装置中的外围电路制造方法及图纸

提供了用于管理半导体装置中的外围电路的系统、装置、方法。在一方面，一种半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构包括存储器阵列和耦合到所述存储器阵列的第一电路，所述第二半导体结构包括第二电路。第一半导体结构包括第一键合层，并且第二半导体结构包括第二键合层。第一键合层与第二键合层彼此接触。第一电路和第二电路耦合在一起。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及半导体装置和用于半导体装置的制造工艺。

技术介绍

1、半导体存储器装置可以被分类为非易失性存储器装置(诸如闪存装置)和易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器dram)。半导体存储器装置可以具有各种结构以增加芯片上的存储器单元和线的密度。存储器装置通常包括存储器单元的存储器阵列和用于促进存储器阵列的操作的外围电路。

技术实现思路

1、本公开内容描述了用于管理半导体装置中的外围电路的方法、装置、系统和技术。

2、本公开内容的一方面的特征在于一种半导体装置，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括存储器阵列和耦合到所述存储器阵列的第一电路。第二半导体结构包括第二电路。第一半导体结构包括第一键合层，并且第二半导体结构包括第二键合层。第一键合层与第二键合层彼此接触。第一电路和第二电路耦合在一起。

3、在一些实施方式中，所述第一电路和所述第一键合层在所述第一半导体结构的第一侧中。所述第二电路和所述第二键合层在所述第二半导体结构的第一侧中。

4、在一些实施方式中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电路和所述第一键合层在所述第一半导体结构的第一侧中，并且所述第二电路和所述第二键合层在所述第二半导体结构的第一侧中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构包括半导体衬底，并且所述第二电路在所述半导体衬底的第一侧上，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述第一键合层包括由第一电介质材料隔离的一个或多个第一导电触点，并且所述第二键合层包括由第二电介质材料隔离的一个或多个第二导电触点，并且

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电路和所述第一键合层在所述第一半导体结构的第一侧中，并且所述第二电路和所述第二键合层在所述第二半导体结构的第一侧中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构包括半导体衬底，并且所述第二电路在所述半导体衬底的第一侧上，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述第一键合层包括由第一电介质材料隔离的一个或多个第一导电触点，并且所述第二键合层包括由第二电介质材料隔离的一个或多个第二导电触点，并且

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构包括半导体衬底，并且所述第二电路在所述半导体衬底的第一侧上，

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其中，所述存储器阵列和所述第一电路沿第一方向布置在所述第一半导体结构的第一侧中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一半导体结构包括第一导电触点，所述第一导电触点具有连接到所述一个或多个第二导电触点中的对应的第二导电触点的第一端和连接到所述一个或多个导电结构中的对应的导电结构的第二端。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，所述存储器阵列的存储器单元包括晶体管和电容器，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电路包括以下中的至少一者：耦合到对应的位线的感测放大器，或者耦合到对应的字线的字线驱动器，并且

10.一种半导体装置，包括：

11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍宗亮，魏丹阳，刘子琛，王言虹，陈亮，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：