【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体装置以及用于形成半导体装置的方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，平面存储器单元的存储密度接近上限。
技术实现思路
1、在一个方面中，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元，每个存储器单元具有垂直晶体管以及耦合到垂直晶体管的存储件。垂直晶体管包括沿垂直方向延伸的半导体层以及耦合到半导体层的栅极结构。半导体层的漏电值低于一皮安。第一半导体结构与第二半导体结构耦合，并且垂直晶体管位于外围电路与存储件之间。
2、在一些实施方式中，第二半导体结构还包括：位线，每条位线沿第一横向方向延伸，并且与半导体层耦合；以及栅极线，每条栅极线沿第二横向方向延伸，并且与栅极结构耦合。垂直方向、第一横向方向和第二横向方向彼此垂直
3、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线位于所述垂直晶体管与所述外围电路之间。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，每条所述位线与每个所述垂直晶体管的所述半导体层的远离所述存储件的一端的至少两个相对侧耦合。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极电极以及在所述第一横向方向和所述第二横向方向上位于所述栅极电极与所述半导体层之间的栅极电介质。
6.根据权利要求1所述的半导体装置...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线位于所述垂直晶体管与所述外围电路之间。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，每条所述位线与每个所述垂直晶体管的所述半导体层的远离所述存储件的一端的至少两个相对侧耦合。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极电极以及在所述第一横向方向和所述第二横向方向上位于所述栅极电极与所述半导体层之间的栅极电介质。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直晶体管是单栅极晶体管，其中，所述垂直晶体管的栅极结构在平面图中位于所述半导体层的一侧处。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直晶体管包括双栅极晶体管，其中，所述垂直晶体管的栅极结构位于所述半导体层的两个相对侧处。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直晶体管包括全环绕栅极(gaa)晶体管，其中，所述栅极结构在平面图中完全围绕所述半导体层。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括：
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直晶体管包括三栅极晶体管，其中，所述栅极结构在平面图中部分地围绕所述半导体层。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个所述垂直晶体管通过直接欧姆触点或存储节点触点与对应的所述存储件耦合。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括焊盘引出互连层，并且所述存储件设置在所述垂直晶体管与所述焊盘引出互连层之间。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体结构还包括焊盘引出互连层，并且所述外围电路设置在所述第二半导体结构与所述焊盘引出互连层之间。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括inxgayznzo、inxgaysizo、inxsnyznzo、inxznyo、znxo、znxsnyo、znxoyn、zrxznysnzo、snxo、hfxinyznzo、gaxznysnzo、alxznysnzo、ybxgayznzo和inxgayo中的一者或组合...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，刘威，陈亮，夏志良，霍宗亮，杨远程，赵冬雪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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