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本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统。该半导体结构包括：晶体管，包括沿第一方向设置的第一端；以及电容器，包括与晶体管的第一端耦接并沿第一方向延伸的第一电极层，其中，第一电极层与第一端耦接的部分沿第二方向的宽度小于第一电极...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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