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提供了一种半导体装置以及用于形成半导体装置的方法。该半导体装置包括垂直晶体管、存储件和键合层。每个垂直晶体管包括半导体层和栅极结构。半导体层具有低于一皮安的漏电值，并且沿垂直方向延伸。栅极结构与半导体层的一侧耦合。每个存储件与垂直晶体管的半...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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