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本申请提供一种半导体器件、存储器器件以及存储器系统。半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域以及第三区域；在第一区域、第二区域以及第三区域内分别具有第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构以及第三沟槽隔离结构，其中，在垂直于衬底的方向上，第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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