【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
1、用于制造其中堆叠有多个半导体芯片的多芯片封装件的裸片到晶片(die-to-wafer)接合工艺可以使用混合接合方法，该混合接合方法在不使用焊料凸块的情况下直接将焊盘接合到焊盘并且将绝缘膜接合到绝缘膜。在将最靠上的裸片接合到位于该最靠上的裸片下方的裸片的情况下，如果位于最靠上的裸片下方的裸片的上表面是凹凸不平的或者具有不规则的表面，则可能无法适当地接合最靠上的裸片，或者可能产生空隙。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种具有改善的产品可靠性的半导体封装件。
2、本公开的各方面还提供了一种制造具有改善的产品可靠性的半导体封装件的方法。
3、然而，本公开的各方面不限于本文阐述的那些方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述及其他方面将变得对于本公开所属于的本领域的普通技术人员而言更清楚。
4、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的侧表面、所述第一模制层的侧表面、所述第五接合层的侧表面、以及所述第二模制层的侧表面位于相同平面上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括绝缘材料并且不包括焊盘。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括相同材料。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括不同材料。
6.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的侧表面、所述第一模制层的侧表面、所述第五接合层的侧表面、以及所述第二模制层的侧表面位于相同平面上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括绝缘材料并且不包括焊盘。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括相同材料。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层和所述第六接合层包括不同材料。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第五接合层在所述芯片堆叠件上的厚度为至
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，每个所述第二半导体芯片的所述第一接合绝缘膜和所述第二接合绝缘膜包括相同材料。
9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，每个所述第二半导体芯片的所述第一接合绝缘膜...
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