【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，并且更特别地，涉及一种具有垂直沟道的半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，需要能够存储高容量数据的半导体器件。因此，正在研究一种增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
1、一方面提供一种具有减小的串选择线的电阻或减小的布线电阻的半导体器件。
2、另一方面是提供一种包括所述半导体器件的电子系统。
3、根据一个或更多个实施例的一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：多条字线，所述多条字线设置在衬底上并且在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；串选择线，所述串选择线设置在所述多条字线上；多个存储串，所述多个存储串在所述衬底上沿所述第一方向延伸，每个存储串包括：在所述第一方向延伸穿过所述多条字线的第一沟道，以及由所述多条字线围绕所述第一沟道构成的多个存储单元；多条位线，所述多条位线电连接到所述多个存储串；以及跨接线，所述跨接线连接到所述串选择线。
4、根据一个或更多个实施例的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：外围电路，所述外围电路设置在衬底上；以及存储单元堆叠件，所述存储单元堆叠件设置在所述外围电路上，其中，所述存储单元堆叠件包括：公共源极板；多条字线，所述多条字线在所述公共源极板上沿与所述
5、根据一个或更多个实施例的又一方面，提供了一种电子系统，所述电子系统包括：主板；半导体器件，所述半导体器件位于所述主板上；以及控制器，所述控制器在所述主板上电连接到所述半导体器件；其中，所述半导体器件包括：外围电路，所述外围电路设置在衬底上；以及存储单元堆叠件，所述存储单元堆叠件设置在所述外围电路上，其中，设置在所述外围电路上的所述存储单元堆叠件包括：公共源极板；多条字线，所述多条字线在所述公共源极板上沿与所述衬底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开；串选择线，所述串选择线设置在所述多条字线上；多个存储串，所述多个存储串在所述公共源极板上沿所述第一方向延伸，其中，每个存储串包括：在所述第一方向上延伸穿过所述多条字线的第一沟道、以及在所述第一方向上延伸穿过所述串选择线的第二沟道；多条位线，所述多条位线电连接到所述多个存储串；以及跨接线，所述跨接线连接到所述串选择线。
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1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多条位线中的每一条位线具有第一宽度，并且所述跨接线具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个存储串中的每一个存储串还包括串选择晶体管，并且
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多条位线中的每一条位线电连接到所述串选择晶体管，并且
5.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括虚设存储串，所述虚设存储串与所述跨接线垂直交叠并且包括穿透所述多条字线的虚设沟道结构，
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多条字线中的每一条字线在所述第一方向上具有第一高度，
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的中心线被设置为与所述第一沟道的中心线水平地间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述串选择线包括以下至少一种：掺杂多晶硅、钨、镍、钴、钽、硅化钨、硅化镍、硅化钴、硅化钽、氮化钨、氮化钛、以及氮化钽。
9.根据权
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述存储单元堆叠件包括主块和虚设块，
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述存储单元堆叠件还包括公共源极抽头线，所述公共源极抽头线设置在所述虚设块中并且在所述第二方向上延伸。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述公共源极抽头线被设置为在所述第二方向上与所述跨接线在一条直线上，并且
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，设置在所述主块中的所述串选择线包括在所述第二方向上彼此间隔开地设置的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线，并且
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，设置在所述主块中的所述串选择线包括在所述第二方向上彼此间隔开地设置的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线，并且
16.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括布置在所述虚设存储单元区域中的虚设存储串，
17.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的中心线被设置为所述第一沟道的中心线水平地间隔开。
18.一种电子系统，所述电子系统包括：
19.根据权利要求18所述的电子系统，其中，所述存储单元堆叠件包括主块和虚设块，
20.根据权利要求19所述的电子系统，其中，所述串选择线包括在所述第二方向上彼此间隔开地设置的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多条位线中的每一条位线具有第一宽度，并且所述跨接线具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个存储串中的每一个存储串还包括串选择晶体管，并且
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多条位线中的每一条位线电连接到所述串选择晶体管，并且
5.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括虚设存储串，所述虚设存储串与所述跨接线垂直交叠并且包括穿透所述多条字线的虚设沟道结构，
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多条字线中的每一条字线在所述第一方向上具有第一高度，
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的中心线被设置为与所述第一沟道的中心线水平地间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述串选择线包括以下至少一种：掺杂多晶硅、钨、镍、钴、钽、硅化钨、硅化镍、硅化钴、硅化钽、氮化钨、氮化钛、以及氮化钽。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括电连接到所述跨接线的跨接布线，所述跨接布线位于比所述跨接线高的垂直高度处。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，...
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