半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法技术

公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。在一些实施方式中，半导体器件包括：彼此间隔开的第一导电层和第二导电层、以及介于第一导电层与第二导电层之间的存储单元。存储单元包括：第一选择器层、与第一选择器层间隔开的第二选择器层、以及介于第一选择器层与第二选择器层之间的绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

该专利文文献涉及半导体技术。

技术介绍

1、近来电气与电子工业中朝着小型化、低功耗、高性能以及多功能化的发展趋势已经迫使半导体制造商专注于高性能、高容量的半导体器件。这种高性能、高容量半导体器件的示例包括：能够通过根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换来储存数据的存储器件，诸如，rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)、e-熔丝(电熔丝)。

技术实现思路

1、在所公开的技术的一些实施例中，半导体器件可以包括：第一导电层和第二导电层，该第一导电层和第二导电层彼此间隔开；和存储单元，该存储单元介于第一导电层与第二导电层之间，其中，所述存储单元包括：第一选择器层；第二选择器层，该第二选择器层与第一选择器层间隔开；以及绝缘层，该绝缘层介于第一选择器层与第二选择器层之间。

2、在所公开的技术的一些实施例中，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在第一导电层与第二导电层之间形成绝缘材料层；通过将第一掺杂剂掺杂到绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层在第一亚阈值电压或高于第一亚阈值电压时被导通，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的厚度小于所述第一选择器层的厚度和所述第二选择器层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的厚度具有几nm至几十nm的范围。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层的厚度具有所述第二选择器层的厚度的90％至110％的范围。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层包括第一绝缘材料层和第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层在第一亚阈值电压或高于第一亚阈值电压时被导通，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的厚度小于所述第一选择器层的厚度和所述第二选择器层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的厚度具有几nm至几十nm的范围。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层的厚度具有所述第二选择器层的厚度的90％至110％的范围。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层包括第一绝缘材料层和第一掺杂剂，所述第一掺杂剂被掺杂在所述第一绝缘材料层中以产生为导电载流子的移动提供通道的浅陷阱，以及

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层、所述第二绝缘材料层以及所述绝缘层包括相同的绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层中的每一个包括死区和有源区，所述死区对应于距离所述第一选择器层和所述第二选择器层中的每一个的侧壁预定宽度的边缘并且不用作选择器，所述有源区具有被所述死区围绕的侧壁并且用作选择器。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层的所述有源区包括第一绝缘材料层和具有第一浓度的第一掺杂剂，所述第一掺杂剂被掺杂在所述第一绝缘材料层中以产生为导电载流子的移动提供通道的浅陷阱，

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂包括砷，以及所述死区包括氯基元素和砷的组合。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述死区具有从上到下减小的宽度。

12.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一阈值电压是所述第一亚阈值电压、所述第二亚阈值电压和所述击穿电压之和，其中，在写入操作期间导电路径形成在所述第一选择器层、所述绝缘层以及所述第二选择器层之中的每一个中，其中，在所述写入操作期间施加的写入电压具有大于所述第一阈值电压的幅值。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，第二阈值电压是所述第一亚阈值电压和所述第二亚阈值电压之和，其中，在擦除操作期间导电路径形成在所述第一选择器层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋政桓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：