【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种半导体装置。更具体地，本公开的实施例涉及动态随机存取存储器(dram)装置。
技术介绍
1、dram装置的电容器可以包括下电极、上电极、以及下电极与上电极之间的介电层。在介电层与下电极和/或上电极之间可以形成天然的氧化物层。天然的氧化物层可降低电容器的电特性。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种具有提高的特性的半导体装置。
2、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括位于衬底上的有源图案。位线结构位于有源图案上。间隔件结构位于位线结构的侧壁上。下接触插塞直接接触间隔件结构。间隔件结构包括第一间隔件，其覆盖下接触插塞的上侧壁。第二间隔件覆盖下接触插塞的下侧壁和下接触插塞的下表面的一部分。下接触插塞包括由第一间隔件和第二间隔件覆盖的延伸部分。突出部分从第一间隔件和第二间隔件突出。突出部分的底表面设置在低于或等于第二间隔件的底表面的水平高度的水平高度处。
3、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括位于衬底上的有源图案。位线结构位于有源图案上。间隔件结构位于位线结构的侧壁上。下接触插塞直接接触间隔件结构。间隔件结构包括第一间隔件，其覆盖位线结构的侧壁。第二间隔件直接接触第一间隔件的外侧壁。第三间隔件直接接触第二间隔件的上外侧壁。第四间隔件直接接触第二间隔件的下外侧壁。下接触插塞包括由第三间隔件和第四间隔件覆盖的延伸部分。突出部分从第三间隔件和第四间隔件延伸。突出部分的底表面设置在低于或等于第四间隔件的底表面的水平高度的水平高度处。
...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下接触插塞的所述突出部分的所述底表面的水平高度低于所述第二间隔件的所述底表面的水平高度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔件结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一有源图案的所述中心部分的上表面的水平高度低于所述第二有源图案的最上表面的水平高度。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二间隔件结构覆盖所述绝缘图案结构的侧壁。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二间隔件结构覆盖所述第二有源图案的在所述第三方向上的所述端部的上侧壁。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括：
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14.一种半导体装置，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述下接触插塞的所述突出部分的底表面的水平高度低于所述第四间隔件的底表面的水平高度。
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中：
17.一种半导体装置，包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中：
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下接触插塞的所述突出部分的所述底表面的水平高度低于所述第二间隔件的所述底表面的水平高度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔件结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一有源图案的所述中心部分的上表面的水平高度低于所述第二有源图案的最上表面的水平高度。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二间隔件结构...
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