【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置，并且更具体地，涉及具有三维结构的存储器装置以及操作存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器装置通常用于存储数据，并且可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。作为非易失性存储器装置的示例的闪存装置可被用在移动电话、数码相机、个人数字助理(pda)、移动计算机装置、固定计算机装置和其他装置中。随着信息通信装置的多功能性的最新趋势，存在对具有高容量和高集成密度的存储器装置的需求。因此，已经提出了包括沿垂直方向堆叠在基底上的多条字线的三维(3d)非易失性存储器装置。最近，已经对这种3d非易失性存储器装置进行了对栅极诱导漏极泄漏(gidl)擦除方案的研究。这种gidl擦除方案可需要高电平电压。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种能够在gidl擦除操作期间基本旁路提供有擦除电压的晶体管的存储器装置。
2、根据示例实施例，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为：生成擦除电压和行线电压，擦除电压和行线电压被提供给所述多个存储...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述晶体管的栅极线在被预充电之后被设置在电浮置状态。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当所述晶体管的栅极线处于电浮置状态时，擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的所述至少一条。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，电连接到串选择晶体管的栅极的栅极线包括多晶硅。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述晶体管是连接到共源极线的地选择晶体管；其中，擦除电...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述晶体管的栅极线在被预充电之后被设置在电浮置状态。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当所述晶体管的栅极线处于电浮置状态时，擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的所述至少一条。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，电连接到串选择晶体管的栅极的栅极线包括多晶硅。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述晶体管是连接到共源极线的地选择晶体管；其中，擦除电压通过共源极线被提供给地选择晶体管的源极；并且其中，擦除电压被传送到地选择晶体管的漏极。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，目标存储器块包括多个存储器单元串；其中，所述多个存储器单元串中的至少一个包括沟道结构以及设置在沟道结构上的串选择沟道结构；并且其中，位线电连接到串选择沟道结构的一端，并且所述晶体管的栅极线设置在与串选择沟道结构同一高度处。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当从上方观察时，串选择沟道结构的一部分与沟道结构叠置，并且串选择沟道结构的中心和沟道结构的中心彼此不匹配。
【专利技术属性】
技术研发人员：金炳秀，李耀翰，金炯坤，朴商秀，任琫淳，千镇泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。