【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及存储器器件和具有该存储器器件的系统。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩小到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，用于平面存储器单元的存储器密度接近上限。
3、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储器单元的密度限制。3d存储器架构包括存储器阵列和用于促进存储器阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、在一个方面，一种三维(3d)存储器器件包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替的导电层和电介质层，并且具有至少两个核心区域和在所述两个核心区域之间的阶梯区域；以及桥接结构，所述桥接结构连接所述两个核心区域并且在第一方向上延伸穿过所述阶梯区域。所述桥接结构的第一桥接结构包括在所述两个核心区域之间的至少两个电流路径。
2、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：在所述第一方向上延伸穿过所述阶梯区域的隔离结构；在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第一缝隙结构；以及在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第二缝隙结构。所述至少两个电流路径中的第一电流路径在所述隔离结构与所述第一缝隙结构之间，并且所述至少两个电流路径中的第二电流路径在所述第一缝隙结构与所述第二缝隙结构之间。
3、在一些实施方式中，所述隔离结构将两个相应存储器块中的两个桥接结构分开。
4、在一些实施方式中，所述第一电流路径和所述第二电
5、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：第一虚设沟道结构，所述第一虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第一缝隙结构接触；第二虚设沟道结构，所述第二虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的远侧处与所述第一缝隙结构接触；以及第三虚设沟道结构，所述第三虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第二缝隙结构接触。所述至少两个电流路径中的所述第一电流路径在所述隔离结构与所述第一虚设沟道结构之间，并且所述至少两个电流路径中的所述第二电流路径在所述第二虚设沟道结构与所述第三虚设沟道结构之间。
6、在一些实施方式中，所述第一桥接结构在朝向所述衬底的远侧上的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构，并且所述第一桥接结构的所述宽度不小于1.25μm。
7、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：沟道结构，每个沟道结构在所述核心区域中的所述堆叠结构中延伸。
8、在一些实施方式中，所述第一桥接结构连接两个相应核心区域中的两个所述导电层。
9、在一些实施方式中，所述桥接结构的材料包括钨(w)、钴(co)、铜(cu)、铝(al)、多晶硅(多晶的硅)、掺杂硅、硅化物或其任何组合。
10、在另一方面，一种三维(3d)存储器器件包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替的导电层和电介质层，并且具有至少两个核心区域和在所述两个核心区域之间的阶梯区域；桥接结构，所述桥接结构连接所述两个核心区域并且在第一方向上延伸穿过所述阶梯区域；在所述第一方向上延伸穿过所述阶梯区域的隔离结构；在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第一缝隙结构；在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第二缝隙结构；以及至少三个虚设沟道结构，所述至少三个虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第一缝隙结构接触，其中，所述桥接结构的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构。
11、在一些实施方式中，至少三个虚设沟道结构包括：第一虚设沟道结构，所述第一虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第一缝隙结构接触；第二虚设沟道结构，所述第二虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的远侧处与所述第一缝隙结构接触；以及第三虚设沟道结构，所述第三虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第二缝隙结构接触。
12、在一些实施方式中，所述隔离结构将两个相应存储器块中的两个桥接结构分开。
13、在一些实施方式中，所述第一桥接结构在朝向所述衬底的远侧上的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构，并且所述第一桥接结构的所述宽度不小于1.25μm。
14、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：沟道结构，每个沟道结构在所述核心区域中的所述堆叠结构中延伸。
15、在一些实施方式中，所述桥接结构连接两个相应核心区域中的两个所述沟道结构。
16、在一些实施方式中，所述桥接结构的材料包括钨(w)、钴(co)、铜(cu)、铝(al)、多晶硅(多晶的硅)、掺杂硅、硅化物或其任何组合。
17、在又一方面，一种系统包括：被配置为存储数据的三维(3d)存储器器件，以及耦合到3d存储器器件并且被配置为控制3d存储器器件的存储器控制器。该3d存储器器件包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替的导电层和电介质层，并且具有至少两个核心区域和在所述两个核心区域之间的阶梯区域；以及桥接结构，所述桥接结构连接所述两个核心区域并且在第一方向上延伸穿过所述阶梯区域。所述桥接结构的第一桥接结构包括在所述两个核心区域之间的至少两个电流路径。
18、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：在所述第一方向上延伸穿过所述阶梯区域的隔离结构；在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第一缝隙结构；以及在所述第一方向上不连续地延伸穿过所述阶梯区域的第二缝隙结构。所述至少两个电流路径中的第一电流路径在所述隔离结构与所述第一缝隙结构之间，并且所述至少两个电流路径中的第二电流路径在所述第一缝隙结构与所述第二缝隙结构之间。
19、在一些实施方式中，所述第一电流路径和所述第二电流路径通过所述第一缝隙结构的不连续部分互连。
20、在一些实施方式中，3d存储器器件还包括：第一虚设沟道结构，所述第一虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第一缝隙结构接触；第二虚设沟道结构，所述第二虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的远侧处与所述第一缝隙结构接触；以及第三虚设沟道结构，所述第三虚设沟道结构延伸到所述堆叠结构中，并且在所述第一方向上并排布置，并且在朝向所述隔离结构的近侧处与所述第二缝隙结构接触。所述至少两个电流路径中的所述第一电流路径在所述隔离结构与所述第一虚设沟道结构之间，并且所述至少两个电流路径中的所述第二电流路径在所述第二虚设沟道结构与本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3D存储器器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的3D存储器器件，其中，所述隔离结构将两个相应存储器块中的两个桥接结构分开。
4.根据权利要求2所述的3D存储器器件，其中，所述第一电流路径和所述第二电流路径通过所述第一缝隙结构的不连续部分互连。
5.根据权利要求2所述的3D存储器器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的3D存储器器件，其中，所述第一桥接结构在朝向所述衬底的远侧上的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构，并且所述第一桥接结构的所述宽度不小于1.25μm。
7.根据权利要求1所述的3D存储器器件，还包括：沟道结构，每个沟道结构在所述核心区域中的所述堆叠结构中延伸。
8.根据权利要求7所述的3D存储器器件，其中，所述第一桥接结构连接两个相应核心区域中的两个所述导电层。
9.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述桥接结构的材料包括钨(W)、钴(Co)、铜(Cu)、铝(Al)、多晶硅(多晶的硅)、掺杂
10.一种三维(3D)存储器器件，包括：
11.根据权利要求10所述的3D存储器器件，其中，所述至少三个虚设沟道结构包括：
12.根据权利要求11所述的3D存储器器件，其中，所述隔离结构将两个相应存储器块中的两个桥接结构分开。
13.根据权利要求11所述的3D存储器器件，其中，所述第一桥接结构在朝向所述衬底的远侧上的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构，并且所述第一桥接结构的所述宽度不小于1.25μm。
14.根据权利要求11所述的3D存储器器件，还包括：沟道结构，每个沟道结构在所述核心区域中的所述堆叠结构中延伸。
15.根据权利要求14所述的3D存储器器件，其中，所述桥接结构连接两个相应核心区域中的两个所述沟道结构。
16.根据权利要求11所述的3D存储器器件，其中，所述桥接结构的材料包括钨(W)、钴(Co)、铜(Cu)、铝(Al)、多晶硅(多晶的硅)、掺杂硅、硅化物或其任何组合。
17.一种系统，包括：
18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述3D存储器器件还包括：
19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述第一电流路径和所述第二电流路径通过所述第一缝隙结构的不连续部分互连。
20.根据权利要求17所述的系统，其中，所述3D存储器器件还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3d存储器器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的3d存储器器件，其中，所述隔离结构将两个相应存储器块中的两个桥接结构分开。
4.根据权利要求2所述的3d存储器器件，其中，所述第一电流路径和所述第二电流路径通过所述第一缝隙结构的不连续部分互连。
5.根据权利要求2所述的3d存储器器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的3d存储器器件，其中，所述第一桥接结构在朝向所述衬底的远侧上的宽度的范围从所述隔离结构到所述第三虚设沟道结构，并且所述第一桥接结构的所述宽度不小于1.25μm。
7.根据权利要求1所述的3d存储器器件，还包括：沟道结构，每个沟道结构在所述核心区域中的所述堆叠结构中延伸。
8.根据权利要求7所述的3d存储器器件，其中，所述第一桥接结构连接两个相应核心区域中的两个所述导电层。
9.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述桥接结构的材料包括钨(w)、钴(co)、铜(cu)、铝(al)、多晶硅(多晶的硅)、掺杂硅、硅化物或其任何组合。
10.一种三维(3d)存储器器件，包括：
11.根据权利要求10所述的3...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳佳，袁彬，许宗珂，郭振，李贝贝，王香凝，杨竹，张强威，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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