一种半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有磁性隧道结，磁性隧道结上表面和侧壁、衬底表面沉积有介质保护膜；蚀刻掉介质保护膜中位于磁性隧道结上表面及衬底表面的部分，保留在磁性隧道结侧壁的剩余介质保护膜形成磁性隧道结的侧墙；在衬底表面、侧墙和磁性隧道结的上表面沉积第一膜层；在第一膜层上沉积第二膜层；研磨第二膜层，直到第一膜层中位于磁性隧道结上表面的部分露出为止；刻蚀掉第一膜层中位于磁性隧道结上表面的部分，以在磁性隧道结的上表面形成凹槽；在凹槽内形成顶电极。无需使用顶电极光罩即可制备，降低成本，而且还减少了光罩对准的次数，利于误差控制，提高芯片良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

1、随着汽车电子、5g通讯、物联网、可穿戴等新兴领域的崛起，近年来，新型存储器如mram(magnetic random access memory)相比于目前其他类型的存储器，具有读写速度快、可实现无限次擦写、具有非易失性(non-volatile)(断电后数据不丢失，而且可以保留10年以上)，易于与目前的半导体工艺相兼容等优点，是极具潜力的下一代非易失性存储器。mram芯片制造工艺中，磁性器件mtj(磁性隧道结)集成在后端金属层次中，简单高效的工艺集成方法是各企业及研究单位追求的目标。相对较少的光罩层次，工艺步骤能够降低工艺步骤带来的缺陷等影响，提升芯片良率，是追求的目标之一。现有技术中在加工出磁性隧道结之后，沉积一层介质保护膜，然后进行介质沉积及cmp研磨(化学机械研磨)，漏出磁性隧道结的顶部，然后进行顶电极薄膜沉积，再用一张顶电极光罩先曝光然后进行顶电极刻蚀，形成磁性隧道结的顶电极。即现有技术制备顶电极的过程中，需要使用一张顶电极光罩，不仅增加成本，而且还增加了光罩对准的次数，不利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二膜层表面以及所述凹槽内沉积顶电极膜层；

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面、所述侧墙和所述磁性隧道结的上表面沉积所述第一膜层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层的刻蚀选择比大于5：1。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，选择性刻蚀掉所述第一膜层中位于所述磁性隧道结上表面的部分，以在所述磁性隧道结的上表面形成凹槽。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二膜层表面以及所述凹槽内沉积顶电极膜层；

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面、所述侧墙和所述磁性隧道结的上表面沉积所述第一膜层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层的刻蚀选择比大于5：1。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，选择性刻蚀掉所述第一膜层中位于所述磁性隧道结上表面的部分，以在所述磁性隧道结的上表面形成凹槽。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪飞，郑泽杰，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：