【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电发光与显示器件，更具体地，涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置。
技术介绍
1、近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)受到了广泛的关注。量子点发光二极管具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。
2、qled器件结构通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极组成，电子和空穴分别从阴极和阳极两端注入，在量子点发光层复合发光。现阶段qled屏幕的制备主要可以通过喷墨印刷加蒸镀电极的方法制备。在qled器件制备过程中，常用的空穴注入层和空穴传输层分别为pedot：pss和tfb，但是pedot呈现酸性，在器件应用过程中会腐蚀临近的tfb层薄膜，进而使得器件失效。另外，由于qled器件的发光机理是一个qd(quantum dot，量子点)首先接收一个电子形成qd-，然后在接收一个空穴形成qd激子，所以要想提高qled器件的发光效率，首先要进一步提高电子的注入。最后，器件制备或使用过程中，外界的水分也会渗入量子点发光层材料中，造成器件性能下降、寿命缩短等。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是现有技术中空穴传输层容易被临近的空穴注入层的酸性物质腐蚀、电子功能层的电子注入效率低以及发光层容易被水渗透腐蚀等。
2、为了解决上述技术问题，
3、包括阳极和阴极；
4、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；
5、电子功能层，设置于所述发光层与所述阴极之间；
6、空穴传输层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
7、空穴注入层，设置于所述阳极与所述空穴传输层之间；
8、还包括设置于所述空穴传输层与所述空穴注入层之间的第一界面修饰层和/或设置在所述发光层与所述电子功能层之间的第二界面修饰层；
9、其中，所述第一界面修饰层的材料选自抗坏血酸处理的二氧化钒；
10、所述第二界面修饰层的材料选自由多金属氧酸盐与金属有机骨架化合物组成的复合材料。
11、进一步的，多金属氧酸盐中的金属元素包括mo、w、v中的至少一种；
12、所述金属有机骨架化合物中的金属元素包括cu、zn、fe、co、ni中的至少一种；
13、所述金属有机骨架化合物中的有机配体选自芳香多酸化合物。
14、进一步的，所述多金属氧酸盐包括磷钼酸盐、磷钨酸盐、磷钒酸盐中的至少一种；
15、所述芳香多酸化合物包括对苯二甲酸、均苯三甲酸、均苯四甲酸中的至少一种。
16、进一步的，所述空穴注入层的厚度为20-100nm；
17、和/或，所述第一界面修饰层的厚度为5-10nm；
18、和/或，所述空穴传输层的厚度为30-50nm；
19、和/或，所述发光层的厚度为15-60nm；
20、和/或，所述第二界面修饰层的厚度为5-10nm；
21、和/或，所述电子功能层的厚度为20-150nm；
22、和/或，所述阳极和/或所述阴极的材料包括金属材料、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属材料包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，所述掺杂金属氧化物包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种；
23、和/或，所述发光层为量子点发光层；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses、zns和上述单一结构量子点中的至少一种；
24、和/或，所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述的电子传输层和/或电子注入层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料选自掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；
25、和/或，所述空穴注入本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐中的金属元素包括Mo、W、V中的至少一种；
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐包括磷钼酸盐、磷钨酸盐、磷钒酸盐中的至少一种；
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-100nm；
5.一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面修饰层由第一界面修饰墨水制备得到；
7.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述抗坏血酸和所述二氧化钒粉体的质量比为10:9；所述预设温度为55-65℃；所述抗坏血酸处理的二氧化钒中二氧化钒质量分数为1wt％-5wt％。
8.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二界面修饰层由第二界面修饰墨水制备得到；
9.根据权利要求8所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述可溶性金属盐包括可溶性Cu盐、可
10.根据权利要求8所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述可溶性金属盐和多金属氧酸的质量比为10：(10～11)；
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的发光器件或由权利要求5至10中任一项所述的制备方法制备得到的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐中的金属元素包括mo、w、v中的至少一种；
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐包括磷钼酸盐、磷钨酸盐、磷钒酸盐中的至少一种；
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-100nm；
5.一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面修饰层由第一界面修饰墨水制备得到；
7.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述抗坏血酸和所述二氧化钒粉体的质量比为10...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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