一种发光器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本申请属于光电发光与显示器件技术领域涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置，所述发光器件包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子功能层以及阴极；还包括设置于空穴传输层与空穴注入层之间的第一界面修饰层和/或设置在发光层与电子功能层之间的第二界面修饰层；第一界面修饰层的材料选自抗坏血酸处理的二氧化钒，第二界面修饰层的材料选自由多金属氧酸盐与金属有机骨架化合物组成的复合材料。本申请提供的技术方案能够阻止空穴注入层的酸性物质对空穴传输层的腐蚀、提高电子注入效率以及减弱外界水分对发光层的损害，进而提高量子点发光二极管的稳定性和效率等。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电发光与显示器件，更具体地，涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置。

技术介绍

1、近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)受到了广泛的关注。量子点发光二极管具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

2、qled器件结构通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极组成，电子和空穴分别从阴极和阳极两端注入，在量子点发光层复合发光。现阶段qled屏幕的制备主要可以通过喷墨印刷加蒸镀电极的方法制备。在qled器件制备过程中，常用的空穴注入层和空穴传输层分别为pedot：pss和tfb，但是pedot呈现酸性，在器件应用过程中会腐蚀临近的tfb层薄膜，进而使得器件失效。另外，由于qled器件的发光机理是一个qd(quantum dot，量子点)首先接收一个电子形成qd-，然后在接收一个空穴形成qd激子，所以要想提高qled器件的发本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐中的金属元素包括Mo、W、V中的至少一种；

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐包括磷钼酸盐、磷钨酸盐、磷钒酸盐中的至少一种；

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-100nm；

5.一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面修饰层由第一界面修饰墨水制备得到；

7.根据权利要求6所述...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐中的金属元素包括mo、w、v中的至少一种；

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述多金属氧酸盐包括磷钼酸盐、磷钨酸盐、磷钒酸盐中的至少一种；

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-100nm；

5.一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面修饰层由第一界面修饰墨水制备得到；

7.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述抗坏血酸和所述二氧化钒粉体的质量比为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：