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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有磁性隧道结，磁性隧道结上表面和侧壁、衬底表面沉积有介质保护膜；蚀刻掉介质保护膜中位于磁性隧道结上表面及衬底表面的部分，保留在磁性隧道结侧壁的剩余介质保护膜形成磁性隧道结的侧墙...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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