【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。
2、为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的三维存储器(3d nand)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。其中，如何提高存储密度是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，以减小连接区的面积，提升存储密度。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体结构。所述半导体结构包括堆叠结构和多个导电结构。所述堆叠结构具有存储区和连接区。所述堆叠结构包括多层交替设置的第一介质层和栅极层；所述堆叠结构具有存储区和连接区，所述连接区的所述堆叠结构还包括多层交替设置的所述第一介质层和第二介质层。所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，相较靠近所述存储区的导电部连接的栅极层，位于相较远离所述存储区的导电部连接的栅极层的上侧。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，最靠近所述存储区的导电部的第一子导电部包括第一子部和第一搭接部，所述第一搭接部与所述第一子部连接。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，相较靠近所述存储区的导电部连接的栅极层，位于相较远离所述存储区的导电部连接的栅极层的上侧。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，最靠近所述存储区的导电部的第一子导电部包括第一子部和第一搭接部，所述第一搭接部与所述第一子部连接。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构中的多个导电部，最远离所述存储区的导电部的第一子导电部向参考面的正投影为环形或圆形；其余的导电部的第一子导电部向所述参考面的正投影为环形；所述参考面为所述堆叠结构的下表面所在的平面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述导电结构与所述堆叠结构之间；
7.根据权利要求2～6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述多个导电部包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部的第一子导电部围绕所述第二导电部的第一子导电部。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电部的第一子导电部包括：
9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝奇，徐伟，袁彬，许宗珂，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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