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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以减小连接区的面积，提升存储密度。半导体结构包括堆叠结构、多个导电结构和第一绝缘层。堆叠结构包括多层交替设置的第一介质层和栅极层；堆叠结构具有存储区和连接...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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