【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，并且更具体地，涉及三维(3d)存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、与非(nand)存储器是一种非易失性类型的存储器，它不需要电力来保持存储的数据。消费电子产品、云计算和大数据的不断增长的需求带来了对更大容量和更好性能的nand存储器的持续需求。随着传统的二维(2d)nand存储器接近其物理极限，三维(3d)nand存储器正发挥着重要的作用。3d nand存储器在单个管芯上使用多个堆叠层，以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更好的成本效率。
2、阶梯触点(sct，staircase contact)是在一些nand存储器器件中用于接触字线的结构。期望改进制造用于nand存储器器件的sct的工艺。
技术实现思路
1、在本公开的一个方面中，一种3d存储器器件包括：导体/绝缘体堆叠体，包含交替堆叠的第一导电层和第一电介质层；延伸穿过导体/绝缘体堆叠体的沟道孔结构；阶梯触点(sct)；以及第二电介质层。sct包括导电结构，sct延伸穿过第一电介质层，并且电连接到第一导电层。第二电介质层与第一导电层平行。sct接触第二电介质层。
2、在本公开的另一方面中，一种用于制造3d存储器器件的方法，包括：形成电介质堆叠体，电介质堆叠体具有交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层；形成穿过电介质堆叠体的沟道孔结构；去除第一电介质层的第一部分，以形成第一腔体；用第一填充结构填充第一腔体；去除第一电介质层的第二部分，以形成第二腔体，沟道孔结构暴露在第
3、在本公开的另一方面中，一种系统包括存储器器件以及用于控制存储器器件的存储器控制器。存储器器件包括：导体/绝缘体堆叠体，包含交替堆叠的第一导电层和第一电介质层；延伸穿过导体/绝缘体堆叠体的沟道孔结构；阶梯触点(sct)；以及第二电介质层。sct包括导电结构，sct延伸穿过第一电介质层，并且电连接到第一导电层。第二电介质层与第一导电层平行。sct接触第二电介质层。
4、本领域技术人员可以根据本公开的说明书、权利要求和附图理解本公开的其他方面。
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1.一种三维(3D)存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述导电结构包括第二导电层，所述第二导电层的区段平行于所述第一导电层，并且位于与所述第一导电层的层级不同的层级处。
3.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述导电结构围绕电介质结构。
4.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述第一导电层从所述SCT延伸到所述沟道孔结构。
5.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述沟道孔结构包括：
6.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述SCT延伸穿过包括交替堆叠的所述第一电介质层和所述第二电介质层的堆叠结构。
7.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述导电结构包括第二导电层和第三导电层，并且所述第二导电层位于所述第一导电层与所述第三导电层之间。
8.一种用于制造三维(3D)存储器器件的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
11.根据权利要求8所述
12.根据权利要求8所述的方法，还包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述组合腔体还包括：
14.根据权利要求8所述的方法，还包括：
15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电层被制成为用于形成用于所述3D存储器器件的导体/绝缘体堆叠体。
16.一种系统，包括：
17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述导电结构包括第二导电层，所述第二导电层的区段平行于所述第一导电层，并且位于与所述第一导电层的层级不同的层级处。
18.根据权利要求16所述的系统，其中，所述导电结构围绕电介质结构。
19.根据权利要求16所述的系统，其中，所述第一导电层从所述SCT延伸到所述沟道孔结构。
20.根据权利要求16所述的系统，其中，所述导电结构包括第二导电层和第三导电层，并且所述第二导电层位于所述第一导电层与所述第三导电层之间。
...【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述导电结构包括第二导电层，所述第二导电层的区段平行于所述第一导电层，并且位于与所述第一导电层的层级不同的层级处。
3.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述导电结构围绕电介质结构。
4.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述第一导电层从所述sct延伸到所述沟道孔结构。
5.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述沟道孔结构包括：
6.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述sct延伸穿过包括交替堆叠的所述第一电介质层和所述第二电介质层的堆叠结构。
7.根据权利要求1所述的3d存储器器件，其中，所述导电结构包括第二导电层和第三导电层，并且所述第二导电层位于所述第一导电层与所述第三导电层之间。
8.一种用于制造三维(3d)存储器器件的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
10.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴林春，周文犀，孔翠翠，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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