【技术实现步骤摘要】
本专利文献涉及存储电路或存储器件以及它们在半导体器件或半导体系统中的应用。
技术介绍
1、近来电气与电子工业中朝着小型化、低功耗、高性能以及多功能化的发展趋势已经迫使半导体制造商专注于高性能、高容量的半导体器件。这种高性能、高容量的半导体器件的示例包括：能够通过根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换来储存数据的存储器件。半导体器件可以包括rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)以及电熔丝(e-fuse)。
技术实现思路
1、本专利文献中所公开的技术涉及存储电路或存储器件以及它们在半导体器件或半导体系统中的应用。半导体器件的各种实施方式可以提高半导体器件的性能并且减少制造缺陷。
2、在一个方面，一种用于实施所公开的技术的半导体器件可以包括：第一导电线，所述第一导电线沿第一方向延伸；第二导电线，所述第二导电线被设置在第一导电线之上以与第一导电线间隔开并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸；多个第一存储单元，所述多个第一存储单元分别被设置在第一导电线和第二导电线的第一交叉处，每个第一存储单元包括第一存储器层和第一选择器层，所述第一选择器层被设置在第一存储器层之上；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元被设置在第一导电线和第二导电线的第二交叉处，每个第二存储单元包括第二选择器层和第二存储器层，所述第二存储器层被设置在第二选择器层之上，其中，每个所述第一存储单元和每个所述第二存储单元可
3、在另一方面，一种用于制造用于实施所公开的技术的半导体器件的方法可以包括：在衬底之上形成第一导电线，所述第一导电线沿第一方向延伸；在第一导电线之上形成第一存储器层；在第一存储器层之上形成第一间隔件层，所述第一间隔件层沿第三方向延伸，所述第三方向具有相对于第二方向倾斜的第一角度，所述第二方向与第一方向交叉；在第一间隔件层之上形成第二间隔件层，所述第二间隔件层沿与第三方向交叉的第四方向延伸；使用间隔件图案作为刻蚀阻障而对第一存储器层进行刻蚀，以在每个所述第一导电线的第一部分之上形成第一存储器层图案，所述间隔件图案包括第一间隔件层和第二间隔件层的堆叠结构；共形地形成选择器层，以覆盖第一存储器层图案的顶表面和侧壁并且具有孔，所述孔设置在相邻的第一存储器层之间以与每个所述第一导电线的第二部分的顶表面间隔开；用第二存储器层填充孔以形成第二存储器层图案；以及在第二存储器层图案之上形成沿第二方向延伸的第二导电线。
4、在附图、详细说明以及权利要求中公开了所公开的技术的上述和其他方面。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器层和所述第二存储器层包括彼此相同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括彼此相同的材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二存储器层的底表面被设置在比所述第一存储器层的顶表面低而比所述第一存储器层的底表面高的水平高度处，并且所述第二存储器层的顶表面被设置在比所述第一存储器层的所述顶表面高的水平高度处。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二选择器层的顶表面和底表面被设置在比所述第一选择器层的底表面低的水平处。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿第三方向和第四方向相邻的任意两个第一存储器层之间的间隔以及沿所述第三方向和所述第四方向相邻的任意两个第二存储器层之间的间隔是任意两个相邻的第一导电线之间的间隔的√2倍宽，并且其中，所述第三方向和所述第四方向分别相对于所述第一方向和所述第二方向具有45°的角度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括绝缘层，所述绝缘层被设置在所述第一导电线、所述第二导电线、所述第一存储单元、以及所述第二存储单元之间的空间中，所述绝缘层包括与所述第一选择器层和所述第二选择器层相同的材料。
9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一间隔件层和形成所述第二间隔件层包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一分区层和所述第一间隔件层包括彼此相同的材料。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二分区层和所述第二间隔件层包括彼此不同的材料。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，在相邻的间隔件图案之间的间隔是相邻的第一导电线之间的间隔的√2倍宽。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二存储器层图案还包括：对填充在所述孔中的所述第二存储器层执行平坦化工艺。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，共形地形成所述选择器层包括：
16.根据权利要求9所述的方法，其中，沿所述第三方向和所述第四方向相邻的所述第一存储器层图案之间的间隔、以及沿所述第三方向和所述第四方向相邻的所述第二存储器层图案之间的间隔是相邻的第一导电线之间的间隔的√2倍宽。
17.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一存储器层和所述第二存储器层包括彼此相同的材料。
18.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二存储器层的底表面被设置在比所述第一存储器层的顶表面低而比所述第一存储器层的底表面高的水平高度处，并且所述第二存储器层的顶表面被设置在比所述第一存储器层的所述顶表面高的水平高度处。
19.根据权利要求9所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器层和所述第二存储器层包括彼此相同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括彼此相同的材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二存储器层的底表面被设置在比所述第一存储器层的顶表面低而比所述第一存储器层的底表面高的水平高度处，并且所述第二存储器层的顶表面被设置在比所述第一存储器层的所述顶表面高的水平高度处。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二选择器层的顶表面和底表面被设置在比所述第一选择器层的底表面低的水平处。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿第三方向和第四方向相邻的任意两个第一存储器层之间的间隔以及沿所述第三方向和所述第四方向相邻的任意两个第二存储器层之间的间隔是任意两个相邻的第一导电线之间的间隔的√2倍宽，并且其中，所述第三方向和所述第四方向分别相对于所述第一方向和所述第二方向具有45°的角度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括具有掺杂剂的离子注入绝缘材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括绝缘层，所述绝缘层被设置在所述第一导电线、所述第二导电线、所述第一存储单元、以及所述第二存储单元之间的空间中，所述绝缘层包括与所述第一选择器层和所述第二选择器层相同的材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：河泰政，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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