【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，并且更具体地，涉及三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可以被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置，在易失性存储器装置中数据在供电中断时消失，而在非易失性存储器装置中数据即使在供电中断时也被保留。
2、非易失性存储器装置设置在其中多个存储器单元晶体管串联连接的单元串结构中。因此，非易失性存储器装置在高集成度方面是有利的。因此，非易失性存储器装置可以主要用于便携式电子产品。例如，由于用于移动电话的存储器装置需要低功率和高集成度，因此非易失性存储器装置可以主要用作用于移动电话的存储器装置。除了便携式电子产品之外，非易失性存储器装置可以用于诸如服务器之类的大容量储存装置。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，其包括：层叠结构，其包括交替地层叠在层叠结构中的层间绝缘层和导电层；以及多个接触插塞，其垂直地形成在导电层上，其中，层叠结构被配置为具有阶梯式...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯中的每一个中包括的所述至少两个导电层包括下部导电层和位于所述下部导电层上方的上部导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一接触插塞的侧壁。
4.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯当中的同一阶梯中包括的所述第一导电层和所述第二导电层的侧表面沿着所述同一阶梯的
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯中的每一个中包括的所述至少两个导电层包括下部导电层和位于所述下部导电层上方的上部导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一接触插塞的侧壁。
4.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯当中的同一阶梯中包括的所述第一导电层和所述第二导电层的侧表面沿着所述同一阶梯的侧表面暴露。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有相同的长度。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一接触插塞穿透所述第二导电层。
8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第二导电层的顶表面接触。
9.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第一导电层间隔开。
10.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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