【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，并且更具体地，涉及三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可以被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置，在易失性存储器装置中数据在供电中断时消失，而在非易失性存储器装置中数据即使在供电中断时也被保留。
2、非易失性存储器装置设置在其中多个存储器单元晶体管串联连接的单元串结构中。因此，非易失性存储器装置在高集成度方面是有利的。因此，非易失性存储器装置可以主要用于便携式电子产品。例如，由于用于移动电话的存储器装置需要低功率和高集成度，因此非易失性存储器装置可以主要用作用于移动电话的存储器装置。除了便携式电子产品之外，非易失性存储器装置可以用于诸如服务器之类的大容量储存装置。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，其包括：层叠结构，其包括交替地层叠在层叠结构中的层间绝缘层和导电层；以及多个接触插塞，其垂直地形成在导电层上，其中，层叠结构被配置为具有阶梯式结构，其中，包括在阶梯式结构中的多个阶梯(step)中的每一个包括层间绝缘层当中的至少两个层间绝缘层以及导电层当中的至少两个导电层，并且其中，多个接触插塞包括分别连接到多个阶梯中的每一个中包括的至少两个导电层的至少两个接触插塞。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，其包括：层叠结构，其包括减薄区域，层叠结构的减薄区域具有阶梯式结构；以及与包括在阶梯式结构中的多个阶梯接
3、根据本公开的又一方面，提供了一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括：在下部结构上形成包括第一导电层和第二导电层的层叠结构；对层叠结构进行蚀刻以形成包括阶梯的阶梯式结构，第一导电层和第二导电层被包括在阶梯中；在具有阶梯式结构的层叠结构的顶部上形成上部绝缘层；形成在穿透上部绝缘层的同时使第二导电层暴露的多个第一孔；形成在穿透第二导电层的同时使第一导电层暴露的多个第二孔；在第二孔的侧壁上形成侧壁绝缘层；以及分别在多个第一孔内部和多个第二孔内部形成多个第一接触插塞和多个第二接触插塞。
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯中的每一个中包括的所述至少两个导电层包括下部导电层和位于所述下部导电层上方的上部导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一接触插塞的侧壁。
4.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯当中的同一阶梯中包括的所述第一导电层和所述第二导电层的侧表面沿着所述同一阶梯的侧表面暴露。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有相同的长度。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一接触插塞穿透所述第二导电层。
8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第二导电层的顶表面接触。
9.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第一导电层
10.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一接触插塞的侧壁。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述第一接触插塞通过所述侧壁绝缘层与所述第二导电层间隔开。
12.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述层叠结构延伸到邻接所述减薄区域的单元区域。
13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：多个垂直沟道结构，所述多个垂直沟道结构穿透形成在所述单元区域中的所述层叠结构。
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述多个垂直沟道结构包括多个存储器单元。
15.一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述层叠结构中，所述第一导电层和所述第二导电层交替地层叠。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第二孔的步骤包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述侧壁绝缘层之后去除所述保护层。
19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述阶梯式结构之前，在所述层叠结构的单元区域中形成穿透所述层叠结构的多个垂直沟道结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯中的每一个中包括的所述至少两个导电层包括下部导电层和位于所述下部导电层上方的上部导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一接触插塞的侧壁。
4.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个阶梯当中的同一阶梯中包括的所述第一导电层和所述第二导电层的侧表面沿着所述同一阶梯的侧表面暴露。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有相同的长度。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一接触插塞穿透所述第二导电层。
8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第二导电层的顶表面接触。
9.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二接触插塞与所述第一导电层间隔开。
10.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：侧壁绝缘层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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