【技术实现步骤摘要】
本专利文献涉及一种半导体技术，并且尤其是，涉及一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、近来，随着电子器具倾向于小型化、低功耗、高性能、多功能化等，本领域已经要求能够在诸如计算机和便携式通信器件等的各种电子器具中储存信息的半导体器件，并且已经对半导体器件进行了研究。这样的半导体器件包括可以利用它们根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
1、在实施例中，一种半导体器件可以包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：衬底；多个第一字线，所述多个第一字线被设置在所述衬底之上并且沿第一方向延伸；多个第一位线，所述多个第一位线被设置在所述第一字线之上并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个第一存储单元，所述多个第一存储单元沿第三方向分别被设置在所述第一字线与所述第一位线之间的交叉区域中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：多个第二位线，所述多个第二位线被设置在所述第一位线之上并且分别接触所述第一位线；多个第二字线，所述多个第二字线被设置在所述第二位线之上并且沿所述第一方向延伸；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元沿所述第三方向分别被设置在所述第二字线与所述第二位线之间的交叉区域中；其中，第一位线与对应的第二位线形
2、在另一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：衬底；多个第一字线，所述多个第一字线被设置在所述衬底之上并且沿第一方向延伸；多个第一位线，所述多个第一位线被设置在所述第一字线之上并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个第一存储单元，所述多个第一存储单元沿第三方向分别被设置在所述第一字线与所述第一位线之间的交叉区域中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：多个第二位线，所述多个第二位线被设置在所述第一位线之上并且分别接触所述第一位线；多个第二字线，所述多个第二字线被设置在所述第二位线之上并且沿所述第一方向延伸；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元沿所述第三方向分别被设置在所述第二字线与所述第二位线之间的交叉区域中；以及第一字线接触结构，所述第一字线接触结构将第二字线电连接到所述衬底，并且穿透所述第二字线。
3、在另一个实施例中，一种用于制造半导体器件的方法，可以包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一衬底；多个第一字线，所述多个第一字线被设置在所述第一衬底之上并且沿第一方向延伸；多个第一位线，所述多个第一位线被设置在所述第一字线之上并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个第一存储单元，所述多个第一存储单元沿第三方向分别被设置在所述第一字线与所述第一位线之间的交叉区域中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：第二衬底；多个第二字线，所述多个第二字线被设置在所述第二衬底之上并且沿所述第一方向延伸；多个第二位线，所述多个第二位线被设置在所述第二字线之上并且沿所述第二方向延伸；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元沿所述第三方向分别被设置在所述第二字线与所述第二位线之间的交叉区域中；以及通过在第一位线和第二位线彼此直接地接触时执行热处理，在所述第一位线与所述第二位线之间形成金属对金属的接合。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一位线之间的空间，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储单元的宽度沿所述第三方向从上到下增大，以及
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储单元和第二存储单元具有相对于介于所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的第一位线和第二位线对称的形状和层结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
14.
15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
16.一种半导体器件，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体器件，还包括：
18.根据权利要求16所述的半导体器件，还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，还包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，还包括：
21.根据权利要求20所述的半导体器件，还包括：
22.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一半导体结构还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一位线之间的空间，以及
24.根据权利要求22所述的方法，还包括：
25.根据权利要求24所述的方法，还包括：
26.根据权利要求25所述的方法，其中，当所述字线接触结构为第二字线接触结构时，所述方法还包括：
27.根据权利要求22所述的方法，其中，在提供所述第一半导体结构时，第一存储单元形成为具有沿所述第三方向从上到下增大的宽度，
28.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一半导体结构还包括第一位线接触结构，所述第一位线接触结构将第一位线电连接到所述第一衬底，以及
29.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第二半导体结构还包括第一位线接触结构，所述第一位线接触结构将第二位线电连接到所述第二衬底，以及
30.根据权利要求25所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一位线之间的空间，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储单元的宽度沿所述第三方向从上到下增大，以及
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储单元和第二存储单元具有相对于介于所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的第一位线和第二位线对称的形状和层结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
14.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
16.一种半导体器件，包括：
17.根据权利要求16所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：李禹太，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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