【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体存储器件，具体地，涉及一种包括垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体器件的设计规则减少，制造技术的进步可以提高半导体器件的集成密度、运行速度和产率。已经提出具有垂直沟道晶体管的半导体器件以增大半导体器件的集成密度并改善晶体管的电阻和电流驱动特性。
技术实现思路
1、专利技术构思的一实施方式提供一种具有改善的电特性和增大的集成密度的半导体存储器件。
2、专利技术构思的一实施方式提供一种制造半导体存储器件的方法，该半导体存储器件具有改善的电特性和增大的集成密度。
3、根据专利技术构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：位线，在基板上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱包括联接到位线的第一水平部分和从第一水平部分在远离基板的垂直方向上延伸的第一垂直部分，第二有源柱包括联接到位线的第二水平部分和从第二水平部分在垂直方向上延伸的第二垂直部分；第一字线和第二字线，分别在第一有源柱的第一水平部分和第二有源柱的第二水平部分上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第一绝缘层，在第一字线和第二字线之间。第一水平部分的第一侧表面和第二水平部分的第二侧表面可以彼此面对，并且第一绝缘层可以包括在第一侧表面和第二侧表面之间的第一气隙。
4、根据专利技术构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：位线，在基板上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱在
5、根据专利技术构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：外围电路结构，包括在基板上的外围电路；位线，在外围电路结构上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱包括联接到位线的第一水平部分和从第一水平部分在远离基板的垂直方向上延伸的第一垂直部分，第二有源柱包括联接到位线的第二水平部分和从第二水平部分在垂直方向上延伸的第二垂直部分；第一字线和第二字线，分别在第一有源柱的第一水平部分和第二有源柱的第二水平部分上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在第一有源柱和第一字线之间的第一栅极绝缘层以及在第二有源柱和第二字线之间的第二栅极绝缘层；在第一字线和第二字线之间的第一绝缘层；栅极覆盖图案，在第一字线和第二字线的顶表面以及第一绝缘层的顶表面上；着陆焊盘，分别在第一有源柱和第二有源柱上；以及多个数据存储图案，分别在着陆焊盘上。第一绝缘层可以包括至少一个气隙。
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源柱和所述第二有源柱关于在所述垂直方向上延伸的轴彼此对称。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源柱和所述第二有源柱包括非晶氧化物半导体材料，其中所述非晶氧化物半导体材料包括InGaZnO、InGaSiO、InSnZnO、InZnO、ZnO、ZnSnO、ZnON、ZrZnSnO、SnO、HfInZnO、GaZnSnO、AlZnSnO、YbGaZnO和/或InGaO。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中在所述第一字线和所述第二字线之间的第一距离小于在所述第二有源柱和所述第三有源柱之间的第二距离。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中相对于所述基板，所述第二气隙定位得高于所述第一气隙。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第二气隙大于所述第一气隙。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：
9
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括外围电路结构，所述外围电路结构包括在所述基板上的外围电路，
11.一种半导体存储器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述第一气隙在彼此面对的所述第一有源柱的所述水平部分和所述第二有源柱的所述水平部分之间。
13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述第二气隙大于所述第一气隙。
14.根据权利要求11所述的半导体存储器件，进一步包括：
15.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中每个所述着陆焊盘包括从与其连接的所述垂直部分水平地偏移的部分。
16.一种半导体存储器件，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体存储器件，其中所述第一水平部分的第一侧表面和所述第二水平部分的第二侧表面彼此面对，所述第一绝缘层在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间，以及
18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中所述至少一个气隙进一步包括第二气隙，所述第二气隙不同于所述第一气隙并比所述第一气隙更远离所述基板。
19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中所述第一侧表面与所述第一字线的侧表面垂直对准，以及
20.根据权利要求16所述的半导体存储器件，其中所述第一有源柱和所述第二有源柱包括非晶氧化物半导体材料，其中所述非晶氧化物半导体材料包括InGaZnO、InGaSiO、InSnZnO、InZnO、ZnO、ZnSnO、ZnON、ZrZnSnO、SnO、HfInZnO、GaZnSnO、AlZnSnO、YbGaZnO和/或InGaO。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源柱和所述第二有源柱关于在所述垂直方向上延伸的轴彼此对称。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源柱和所述第二有源柱包括非晶氧化物半导体材料，其中所述非晶氧化物半导体材料包括ingazno、ingasio、insnzno、inzno、zno、znsno、znon、zrznsno、sno、hfinzno、gaznsno、alznsno、ybgazno和/或ingao。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中在所述第一字线和所述第二字线之间的第一距离小于在所述第二有源柱和所述第三有源柱之间的第二距离。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中相对于所述基板，所述第二气隙定位得高于所述第一气隙。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第二气隙大于所述第一气隙。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中每个所述数据存储图案包括电容器。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括外围电路结构，所述外围电路结构包括在所述基板上的外围电路，
11.一种半导体存储器件，包括：
12.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔德欢，朴茁发，裵仁在，朴桐湜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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