半导体器件及其制造方法技术

提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括栅电极、延伸穿过所述栅电极的沟道、第一贯穿通路、第一分隔绝缘层、第二分隔绝缘层和绝缘图案，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开并且包括阶梯形状的焊盘。所述栅电极可以包括位于第一栅电极下方的第二栅电极。所述第一贯穿通路可以穿过并且电连接到所述第一栅电极的第一焊盘，穿过所述第二栅电极，并且包括连接到导电柱的连接部分。所述连接部分可以接触所述第一焊盘。所述第一分隔绝缘层可以位于所述连接部分的上表面上。所述第二分隔绝缘层可以位于所述连接部分的底表面上。所述绝缘图案可以位于所述第一贯穿通路与所述第二栅电极的侧壁之间。

【技术实现步骤摘要】

专利技术构思涉及半导体器件、其制造方法和包括半导体器件的电子系统，更具体地，涉及具有垂直沟道的半导体器件、其制造方法和包括半导体器件的电子系统。

技术介绍

1、在需要数据存储的电子系统中，可能需要能够存储高容量数据的半导体器件。因此，正在研究增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括三维排列的存储单元而不是二维排列的存储单元的半导体器件。

技术实现思路

1、专利技术构思提供了一种能够限制和/或防止焊盘结构形成过程中的缺陷的半导体器件及其制造方法。

2、专利技术构思还提供了包括所述半导体器件的电子系统。

3、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；栅电极，所述栅电极位于所述衬底的上表面上，并且包括以阶梯形状设置的焊盘，所述栅电极在第一方向上彼此间隔开，所述第一方向垂直于所述衬底的所述上表面，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第二栅电极位于所述第一栅电极下方；沟道，所述沟道在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在俯视图中，所述第一分隔绝缘层和所述第二分隔绝缘层具有环形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一分隔绝缘层位于所述连接部分与所述覆盖绝缘层之间。p>

9.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在俯视图中，所述第一分隔绝缘层和所述第二分隔绝缘层具有环形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一分隔绝缘层位于所述连接部分与所述覆盖绝缘层之间。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：金烔永，金大弘，金益秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：