【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及半导体器件、其制造方法和包括半导体器件的电子系统，更具体地，涉及具有垂直沟道的半导体器件、其制造方法和包括半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，可能需要能够存储高容量数据的半导体器件。因此，正在研究增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括三维排列的存储单元而不是二维排列的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了一种能够限制和/或防止焊盘结构形成过程中的缺陷的半导体器件及其制造方法。
2、专利技术构思还提供了包括所述半导体器件的电子系统。
3、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；栅电极，所述栅电极位于所述衬底的上表面上，并且包括以阶梯形状设置的焊盘，所述栅电极在第一方向上彼此间隔开，所述第一方向垂直于所述衬底的所述上表面，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第二栅电极位于所述第一栅电极下方；沟道，所述沟道在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿过并且电连接到所述第一栅电极的第一焊盘，所述第一贯穿通路穿过所述第二栅电极，所述第一贯穿通路包括在所述第一方向上延伸的导电柱和连接到所述导电柱的连接部分，所述连接部分与所述第一栅电极的所述第一焊盘接触；第一分隔绝缘层，所述第一分隔绝缘层位于所述第一贯穿通路的所述连接部分的上表面上；第二分隔绝缘层，所述第二分隔绝缘层位于所述第一贯穿通路的所述连接部
4、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：单元堆叠，所述单元堆叠位于衬底上，并且包括在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上交替设置的栅电极和模制绝缘层，所述栅电极包括阶梯状焊盘，所述单元堆叠还包括覆盖所述阶梯状焊盘的覆盖绝缘层，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第二栅电极位于所述第一栅电极下方；沟道，所述沟道穿过所述单元堆叠并且在所述第一方向上延伸；第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿过所述单元堆叠并且在所述第一方向上延伸，所述第一贯穿通路连接到所述第一栅电极的第一焊盘并且穿过所述第二栅电极，所述第一贯穿通路包括导电柱和连接部分，所述连接部分从所述导电柱横向地向外突出；绝缘图案，所述绝缘图案位于所述第一贯穿通路与所述第二栅电极的与所述第一贯穿通路相对的侧壁之间，所述绝缘图案使所述第一贯穿通路与所述第二栅电极彼此电绝缘；侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一贯穿通路的所述导电柱的侧壁；以及第一分隔绝缘层，所述第一分隔绝缘层位于所述第一贯穿通路的所述连接部分的上表面上。
5、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；电路图案，所述电路图案位于所述衬底上；布线图案，所述布线图案位于所述衬底上并且电连接到所述电路图案；下层间绝缘膜，所述下层间绝缘膜位于所述衬底上并且覆盖所述电路图案和所述布线图案；公共源极板，所述公共源极板位于所述下层间绝缘膜上；栅电极，所述栅电极位于所述公共源极板上，并且在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开，所述栅电极包括以阶梯形状设置的焊盘，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第二栅电极位于所述第一栅电极下方；沟道，所述沟道在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿过并且电连接到所述第一栅电极的第一焊盘，所述第一贯穿通路穿过所述第二栅电极，所述第一贯穿通路包括在所述第一方向上延伸的导电柱和连接到所述导电柱的连接部分，所述连接部分接触所述第一栅电极的所述第一焊盘；侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层围绕所述第一贯穿通路的所述导电柱的侧壁；第一分隔绝缘层，所述第一分隔绝缘层位于所述第一贯穿通路的所述连接部分的上表面上；第二分隔绝缘层，所述第二分隔绝缘层位于所述第一贯穿通路的所述连接部分的底表面上；绝缘图案，所述绝缘图案位于所述第一贯穿通路与所述第二栅电极的面对所述第一贯穿通路的侧壁之间；以及阻挡绝缘层，所述阻挡绝缘层位于所述栅电极的上表面和所述栅电极的侧壁上，所述阻挡绝缘层包括位于所述第一焊盘与所述第一分隔绝缘层的侧壁之间的第一部分。
6、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件的制造方法可以包括：在衬底上交替地形成模制绝缘层和牺牲层；将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化，所述的将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化包括：形成连接到所述牺牲层并且具有阶梯形状的初步焊盘；形成穿过连接到所述牺牲层当中的第一牺牲层的第一初步焊盘并且穿过位于所述第一初步焊盘下方的第二牺牲层的贯穿通孔；通过去除暴露在所述贯穿通孔的内壁上的所述第一初步焊盘的一部分来形成第一延伸开口；使用包括氨基硅烷基化合物的种晶前体对所述第一延伸开口的内壁执行种晶处理；在所述第一延伸开口的内壁上形成分隔绝缘层，所述分隔绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一延伸开口的上侧和所述第一延伸开口的下侧上，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分位于所述第一延伸开口的侧壁上，所述第二部分具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；用栅电极替换所述牺牲层，并且用焊盘替换所述初步焊盘；去除所述分隔绝缘层的所述第二部分；以及形成填充所述贯穿通孔和所述第一延伸开口的贯穿通路。
7、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件的制造方法可以包括：在衬底上交替地形成模制绝缘层和牺牲层；将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化，所述的将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化形成了连接到所述牺牲层并且具有阶梯形状的初步焊盘；在所述模制绝缘层、所述牺牲层和所述初步焊盘上形成覆盖绝缘层；形成穿过连接到所述牺牲层当中的第一牺牲层的第一初步焊盘并且穿过位于所述第一初步焊盘下方的第二牺牲层的贯穿通孔；通过去除暴露在所述贯穿通孔的内壁上的所述第一初步焊盘和所述第二牺牲层来形成第一延伸开口和第二延伸开口；在所述第一延伸开口的内壁上形成分隔绝缘层，所述分隔绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述第一延伸开口的内部位于所述模制绝缘层的上表面和所述覆盖绝缘层的底表面上，所述第一部分在垂直方向上具有第一厚度，所述第二部分在所述第一延伸开口的内部位于所述第一牺牲层的侧壁上，并且所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；在所述第二延伸开口的内壁上形成绝缘图案；用栅电极替换所述牺牲层，并且用焊盘替换所述初步焊盘；去除所述分隔绝缘层的所述第二部分；以及形成填充所述贯穿通孔和所述第一延伸开口的贯穿通路。
8、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件的制造方法可以包括：在衬底上交替地形成模制绝缘层和牺牲层；将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化，所述的将所述模制绝缘层的一部分和所述牺牲层的一部分图案化形成了连接到所述牺牲层并且具有阶梯形状的初步焊盘；在所述模制绝缘层、所述牺牲层和所述初步焊盘上形成覆盖绝缘层；形成穿过所述覆盖绝缘层和所述初步焊盘中的连接到所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在俯视图中，所述第一分隔绝缘层和所述第二分隔绝缘层具有环形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一分隔绝缘层位于所述连接部分与所述覆盖绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.根据权利要求9的半导体器件，其中，
11.根据权利要求9的半导体器件，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案包括位于其中的缝隙。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
14.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：p>
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求15所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，
19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
20.一种半导体器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在俯视图中，所述第一分隔绝缘层和所述第二分隔绝缘层具有环形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一分隔绝缘层位于所述连接部分与所述覆盖绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.根据...
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