【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的整合制作工艺。
技术介绍
1、光电二极管是一种能够将光转换成电流或者电压信号的光探测器，它们能够根据所受光的程度来输出相应的模拟电信号或者使用在控制开关、数字信号处理。高电子迁移率晶体管(hemt)是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，相较于传统晶体管，高电子迁移率晶体管的电子速度及密度均较高，故可用以增加切换速度。表面声波滤波器(saw filter)可被广泛应用在各种无线通信系统、电视机、录放影机及全球卫星定位系统接收器上，主要功用在于把噪声滤掉，比传统的滤波器安装更简单、体积更小。
2、然而，随着半导体芯片日渐缩小的需求，芯片上电路整合技术可以达到增加元件集成度降低制作工艺步骤的优点，此外由于芯片的体积变小，使电子运动的距离缩小，因此也可以提升芯片速度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的整合制作工艺和结构，以达成降低制作工艺成本并且提升元件集成度的目标。
2、根据本专利技术的优选实施例，一种具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构包含一光电二极管和一高电子移动率晶体管，光电二极管包含：一第一iii-v族半导体层、一第一n型iii-v族半导体层、一多重量子阱层、一第二iii-v族半导体层、一p型iii-v族半导体层和一第一电极由下至上堆叠，一第二电极设置在第一n型iii-v族
3、根据本专利技术的另一优选实施例，一种具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法包含提供一基底，基底划分成一光电二极管区和一晶体管区，然后形成一第一iii-v族半导体层覆盖基底，接着形成两个第一凹槽埋入于晶体管区中的第一iii-v族半导体层，然后形成一n型iii-v族半导体层和一多重量子阱层由下至上覆盖第一iii-v族半导体层并且n型iii-v族半导体层填满两个第一凹槽，之后移除在晶体管区内位于第一iii-v族半导体层之上的n型iii-v族半导体层和多重量子阱层，接续在移除在晶体管区的n型iii-v族半导体层和多重量子阱层之后，依序形成一第二iii-v族半导体层和一p型iii-v族半导体材料层由下至上依序堆叠在光电二极管区和晶体管区，然后移除部分的p型iii-v族半导体材料层，使得余留在光电二极管区的p型iii-v族半导体材料层成为一p型iii-v族半导体层，余留在晶体管区的p型iii-v族半导体材料层成为一p型栅极，接着形成两个第一导电层分别覆盖p型iii-v族半导体层和p型栅极，之后形成两个第二凹槽于第一凹槽内，最后形成三个第二导电层，其中两个第二导电层填入各个第二凹槽，一个第二导电层接触光电二极管区内的n型iii-v族半导体层。
4、为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。
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1.一种具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，包含：
2.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，还包含：表面声波元件，其中该表面声波元件包含：
3.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，还包含两个第二N型III-V族半导体层埋入于该沟道层，并且各该第二N型III-V族半导体层分别接触该等源极/漏极电极。
4.如权利要求3所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一N型III-V族半导体层的材料和该等第二N型III-V族半导体层的材料完全相同。
5.如权利要求4所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一N型III-V族半导体层、该等第二N型III-V族半导体层都为N型氮化镓。
6.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该P型III-V族半导体层的材料和该P型栅极的材料相同。
7.如权利要求6所述的具有光电二极管、高电子移动率晶
8.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该等源极/漏极电极的材料和该第二电极的材料相同。
9.如权利要求8所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该等源极/漏极电极的材料和该第二电极的材料为欧姆金属(ohmic metal)，该欧姆金属包含Ti/Al/TiN、Si/Ti/Al/TiN、Si/Ti/Ta/Al/TiN、或Si/Ti/Al/Ti/Au。
10.如权利要求2所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一电极的材料、该栅极电极的材料、该交叉指状电极的材料相同。
11.如权利要求10所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一电极的材料、该栅极电极的材料、该交叉指状电极的材料为肖特基金属，该肖特基金属包含TiN/Al/TiN、Ni/Au、W/Au或Ni/Ag。
12.一种具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，包含：
13.如权利要求12所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，其中该基底还包含声波元件区，在移除在该晶体管区内位于该第一III-V族半导体层之上的该N型III-V族半导体层和该多重量子阱层之前，该第一III-V族半导体层、该N型III-V族半导体层和该多重量子阱层由下至上依序覆盖该声波元件区。
14.如权利要求13所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，还包含：
15.如权利要求14所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，还包含：蚀刻位于声波元件区内的该第一导电层以形成交叉指状电极。
16.如权利要求12所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，其中该第一导电层为肖特基金属，该肖特基金属包含TiN/Al/TiN、Ni/Au、W/Au或Ni/Ag。
17.如权利要求12所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构的制作方法，其中第二导电层为欧姆金属，该欧姆金属包含Ti/Al/TiN、Si/Ti/Al/TiN、Si/Ti/Ta/Al/TiN或Si/Ti/Al/Ti/Au。
...【技术特征摘要】
1.一种具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，包含：
2.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，还包含：表面声波元件，其中该表面声波元件包含：
3.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，还包含两个第二n型iii-v族半导体层埋入于该沟道层，并且各该第二n型iii-v族半导体层分别接触该等源极/漏极电极。
4.如权利要求3所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一n型iii-v族半导体层的材料和该等第二n型iii-v族半导体层的材料完全相同。
5.如权利要求4所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该第一n型iii-v族半导体层、该等第二n型iii-v族半导体层都为n型氮化镓。
6.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该p型iii-v族半导体层的材料和该p型栅极的材料相同。
7.如权利要求6所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该p型iii-v族半导体层和该p型栅极都为p型氮化镓。
8.如权利要求1所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该等源极/漏极电极的材料和该第二电极的材料相同。
9.如权利要求8所述的具有光电二极管、高电子移动率晶体管和表面声波元件的结构，其中该等源极/漏极电极的材料和该第二电极的材料为欧姆金属(ohmic metal)，该欧姆金属包含ti/al/tin、si/ti/al/tin、si/ti/ta/al/tin、或si/ti/al/ti/au。
10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：林大钧，张智伟，蔡馥郁，蔡滨祥，邱崇益，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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