【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，液晶显示面板和有机发光二极管显示面板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机、ar(augmented reality，增强现实)和vr(virtual reality，虚拟现实)等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
2、对于vr/ar显示而言，另一方面，由于vr/ar的背光强度更大，晶体管器件受到的光照更大，因此需要阵列基板具有较低的漏电流。而金属氧化物晶体管具有均一性良好、漏电流低、透过率高的优点，因此，可用于显示像素驱动。另一方面需要更高的ppi(每英寸像素数)，则需要阵列基板具有较高的开口率。为了提高开口率，一般采用透明电极与金属氧化物半导体层直接搭接的方式，来避免漏极金属造成的开口率降低，但金属氧化物半导体层直接与上层的透明电极直接搭接，会造成透明电极上方的氢离子扩散到金属氧化物半导体层的沟道中，影响金属氧化物晶体管的电性。
3、综上，现有的阵列基板的结构有待于改进。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种阵列基板及显示装置，以解决现有的阵列基板采用像素电极通过透明电极与金属氧化物半导体层直接搭接的方式，导致透明电极上方膜层的氢离子扩散至金属氧化物半导体层的沟道中，影响金属氧化物晶体管的电性的技术问题。
2、为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：
3、
4、衬底；
5、金属氧化物半导体层，设置于所述衬底上；
6、层间介质层，设置于所述金属氧化物半导体层上；
7、第一源漏极层，设置于所述层间介质层上，包括分别与所述金属氧化物半导体层电连接的第一电极和第二电极，所述第一电极为透明电极；
8、氢阻挡层，设置于所述第一源漏极层上，至少覆盖所述第一电极；
9、第一平坦层，设置于所述氢阻挡层上；以及
10、像素电极，设置于所述第一平坦层上，与所述第一电极电连接。
11、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区周边的栅极驱动电路区，所述金属氧化物半导体层设置于所述显示区，所述阵列基板还包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层设置于所述栅极驱动电路区。
12、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
13、钝化层，设置于所述像素电极上，
14、公共电极，设置于所述钝化层上。
15、在本技术的一些实施例中，所述氢阻挡层覆盖所述金属氧化物半导体层。
16、在本技术的一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极同层设置于所述层间介质层上，所述第一电极为透明金属氧化物电极，所述第二电极为金属电极。
17、在本技术的一些实施例中，
18、所述层间介质层开设有第一过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体层连接；
19、所述第一过孔的宽度大于所述第一电极的厚度，所述第一电极覆盖所述第一过孔的底壁，所述氢阻挡层填充所述第一过孔。
20、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
21、介质层，设置于所述第二电极上；
22、其中，所述第一电极设置于所述介质层上，所述氢阻挡层设置于所述第一电极上。
23、在本技术的一些实施例中，所述介质层上开设有第一过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体层连接；
24、其中，所述第一过孔的宽度大于所述第一电极的厚度，所述第一电极覆盖所述第一过孔的底壁，所述氢阻挡层覆盖所述第一过孔的侧壁，所述第一平坦层填充所述第一过孔。
25、在本技术的一些实施例中，所述氢阻挡层包括氮化硅膜层、氧化硅膜层以及氧化铝膜层中的至少一层。
26、本技术还提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
27、本技术的有益效果为：本技术提供的阵列基板及显示装置，包括衬底、设置于所述衬底上的金属氧化物半导体层、设置于所述金属氧化物半导体层上的层间介质层、设置于所述层间介质层上的第一源漏极层、设置于所述第一源漏极层上的氢阻挡层、设置于所述氢阻挡层上的第一平坦层以及设置于所述第一平坦层上的像素电极。其中，所述第一源漏极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别与所述金属氧化物半导体层电连接，所述第一电极为透明电极，所述像素电极与所述第一电极电连接。本技术通过在所述第一源漏极层上设置氢阻挡层，氢阻挡层至少覆盖第一电极，可以阻挡上层的平坦层中扩散出来的氢离子，避免氢离子通过第一电极下方的过孔进入到金属氧化物半导体层中，对金属氧化物半导体层的电性造成不良影响。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区周边的栅极驱动电路区，所述金属氧化物半导体层设置于所述显示区，所述阵列基板还包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层设置于所述栅极驱动电路区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层覆盖所述金属氧化物半导体层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极同层设置于所述层间介质层上，所述第一电极为透明金属氧化物电极，所述第二电极为金属电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层包括氮化硅膜层、氧化硅膜层以及氧化铝膜层中的至少一层。
10.一种显示装置，
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区周边的栅极驱动电路区，所述金属氧化物半导体层设置于所述显示区，所述阵列基板还包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层设置于所述栅极驱动电路区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层覆盖所述金属氧化物半导体层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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