【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory，sram)，尤其是涉及一种具有较高读取速率与高稳定性的静态随机存取存储器(sram)的布局图案。
技术介绍
1、在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory，embedded sram)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种易失性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属易失性存储器的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一基底，多条鳍状结构位于基底上，多条栅极结构位于基底上并且跨越多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于基底上，其中每一个晶体管包含有部分的栅极结构跨越部分鳍状结构，其中多个晶体管包含
2、本专利技术另提供一种静态随机存取存储器，至少包含多个晶体管分布于一基底上，其中多个晶体管包含一第一上拉晶体管pu1、一第一下拉晶体管pd1、一第二上拉晶体管pu2与一第二下拉晶体管pd2，共同组成一栓锁电路(latch)，一第一存取晶体管pg1与一第二存取晶体管pg2连接栓锁电路，以及相互串联的一第一读取晶体管rpd与一第二读取晶体管rpg，其中第一读取晶体管rpd的所包含的栅极结构连接第一下拉晶体管pd1的栅极结构，其中，第一下拉晶体管pd1的一漏极与第二下拉晶体管pd2的一漏极连接到一第一电压源，第一读取晶体管rpd的一漏极连接到一第二电压源。
3、本专利技术的特征在于，有别于现有的sram通常会将第一下拉晶体管pd1的一漏极、第二下拉晶体管pd2的一漏极以及第一读取晶体管rpd的一漏极共同连接到一电压源vss，本专利技术将第一下拉晶体管pd1的一漏极与第二下拉晶体管pd2的一漏极连接到一第一电压源(例如vss1)，而将第一读取晶体管rpd的一漏极连接到一第二电压源(例如vss2)，也就是说第一电压源vss1与第二电压源vss2彼此独立。在执行读取步骤时，可以单独调降vss2的电压(例如调至负电位)，如此可以增快读取速度，但又不会影响栓锁电路的稳定性。另一方面，在sram待机时，也可以调高vss2的电压(例如调至正电位)，如此可以降低漏电流的发生机率，提升sram的稳定性。本专利技术具有提高元件品质与稳定性，且同时与现有制作工艺相容的优点。
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1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该多条鳍状结构沿着第一方向排列，该多个栅极结构沿着第二方向排列，且该第一方向与该第二方向相互垂直。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(RPD)、该第一上拉晶体管(PU1)、该第一下拉晶体管(PD1)与该第二存取晶体管(PG2)沿着该第二方向排列。
4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第二读取晶体管(RPG)、该第二上拉晶体管(PU2)、该第二下拉晶体管(PD2)与该第一存取晶体管(PG1)沿着第二方向排列。
5.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(Vss1)与该第二电压源(Vss2)不互相电连接。
6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(Vss1)连接到第一金属层、该第二电压源(Vss2)连接到第二金属层，其中该第一金属层与该第二金属层不直接接触，但沿着该第二方向(Y方向)对齐。
7.
8.如权利要求6所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一金属层上包含有第一接触柱，该第二金属层上包含有第二接触柱。
9.一种静态随机存取存储器，至少包含:
10.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中该第一电压源(Vss1)与该第二电压源(Vss2)不互相电连接。
11.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中该第二读取晶体管(RPG)的源极连接到读取位线(RBL)。
12.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中该第二读取晶体管(RPG)的栅极连接到读取字线(RWL)。
13.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中该第一上拉晶体管(PU1)的源极与该第二上拉晶体管(PU2)的源极连接到第三电压源(Vcc)。
14.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中该第一读取晶体管(RPD)的该栅极连接该第一上拉晶体管(PU1)的该栅极与该第一下拉晶体管(PD1)的该栅极。
15.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中当该静态随机存取存储器处于读取状态时，该第二电压源(Vss2)所连接的电位低于该第一电压源(Vss1)与所连接的电位。
16.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中当该静态随机存取存储器处于待机状态时，该第二电压源(Vss2)所连接的电位高于该第一电压源(Vss1)与所连接的电位。
...【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该多条鳍状结构沿着第一方向排列，该多个栅极结构沿着第二方向排列，且该第一方向与该第二方向相互垂直。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(rpd)、该第一上拉晶体管(pu1)、该第一下拉晶体管(pd1)与该第二存取晶体管(pg2)沿着该第二方向排列。
4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第二读取晶体管(rpg)、该第二上拉晶体管(pu2)、该第二下拉晶体管(pd2)与该第一存取晶体管(pg1)沿着第二方向排列。
5.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(vss1)与该第二电压源(vss2)不互相电连接。
6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(vss1)连接到第一金属层、该第二电压源(vss2)连接到第二金属层，其中该第一金属层与该第二金属层不直接接触，但沿着该第二方向(y方向)对齐。
7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(rpd)与第二读取晶体管(rpg)沿着该第一方向对齐。
8.如权利要求6所述的静态随机存取存储器的布局图...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶书玮，陈昌宏，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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