静态随机存取存储器及其布局图案制造技术

本发明专利技术提供一种静态随机存取存储器及其布局图案，其中该静态随机存取存储器的布局图案包含多条鳍状结构位于一基底上，多条栅极结构位于基底上并且跨越多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于基底上，其中多个晶体管包含:一第一上拉晶体管(PU1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PU2)与一第二下拉晶体管(PD2)、一第一存取晶体管(PG1)、一第二存取晶体管(PG2)、一第一读取晶体管(RPD)与一第二读取晶体管(RPG)，其中第一读取晶体管(RPD)的所包含的栅极结构连接第一下拉晶体管(PD1)的栅极结构，其中，第一下拉晶体管(PD1)的一漏极连接到一第一电压源(Vss1)，第一读取晶体管(RPD)的一漏极连接到一第二电压源(Vss2)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory，sram)，尤其是涉及一种具有较高读取速率与高稳定性的静态随机存取存储器(sram)的布局图案。

技术介绍

1、在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory，embedded sram)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种易失性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属易失性存储器的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该多条鳍状结构沿着第一方向排列，该多个栅极结构沿着第二方向排列，且该第一方向与该第二方向相互垂直。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(RPD)、该第一上拉晶体管(PU1)、该第一下拉晶体管(PD1)与该第二存取晶体管(PG2)沿着该第二方向排列。

4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第二读取晶体管(RPG)、该第二上拉晶体管(PU2)、该第二下拉晶体管(PD2)与该第一存取晶体管(PG1...

【技术特征摘要】

1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该多条鳍状结构沿着第一方向排列，该多个栅极结构沿着第二方向排列，且该第一方向与该第二方向相互垂直。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(rpd)、该第一上拉晶体管(pu1)、该第一下拉晶体管(pd1)与该第二存取晶体管(pg2)沿着该第二方向排列。

4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第二读取晶体管(rpg)、该第二上拉晶体管(pu2)、该第二下拉晶体管(pd2)与该第一存取晶体管(pg1)沿着第二方向排列。

5.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(vss1)与该第二电压源(vss2)不互相电连接。

6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一电压源(vss1)连接到第一金属层、该第二电压源(vss2)连接到第二金属层，其中该第一金属层与该第二金属层不直接接触，但沿着该第二方向(y方向)对齐。

7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该第一读取晶体管(rpd)与第二读取晶体管(rpg)沿着该第一方向对齐。

8.如权利要求6所述的静态随机存取存储器的布局图...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶书玮，陈昌宏，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：