【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种光电转换器件用材料、显示装置或半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
技术介绍
1、已知作为太阳能电池用材料包含具有包含取代或未取代的芳基的二芳基胺基的蒽衍生物的太阳能电池(专利文献1)。
2、[先行技术文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利第5243891号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件用材料。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的光电转换器件用材料、新颖的显示装置或新颖的半导体装置。
3、注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。p>
4、解决技术问题的手段
5、(1)本专利技术的一个方式是一种光电转换器件用材料，该光电转换器件用材料用于光电转换器件的第二层，该光电转换器件包括第一电极、第二电极、第一层、第二层及第三层，其中第一层被夹在第一电极与第二电极之间，第二层被夹在第二电极与第一层之间，第三层被夹在第二电极与第二层之间，第三层的电子迁移率比第一层高。
6、该光电转换器件用材料具有蒽骨架，蒽骨架键合于二芳基胺基、二杂芳胺基或芳基杂芳胺基。
7、(2)另外，本专利技术的一个方式是一种光电转换器件用材料，该光电转换器件用材料用于光电转换器件的第二层，该光电转换器件包括第一电极、第二电极、第一层、第二层及第三层，其中第一层被夹在第一电极与第二电极之间，第二层被夹在第二电极与第一层之间，第三层被夹在第二电极与第二层之间，第三层的电子迁移率比第一层高。
8、该光电转换器件用材料具有蒽骨架，蒽骨架在9位键合于二芳基胺基、二杂芳胺基或芳基杂芳胺基。
9、(3)另外，本专利技术的一个方式是一种光电转换器件用材料，该光电转换器件用材料用于光电转换器件的第二层，该光电转换器件包括第一电极、第二电极、第一层、第二层及第三层，其中第一层被夹在第一电极与第二电极之间，第二层被夹在第二电极与第一层之间，第三层被夹在第二电极与第二层之间，第三层的电子迁移率比第一层高。
10、该光电转换器件用材料具有蒽骨架，蒽骨架在9位键合于取代或未取代的二芳基胺基，在2位或6位或者2位及6位的双方键合于取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基、取代或未取代的二芳基胺基。
11、注意，取代或未取代的二芳基胺基中的芳基为取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或者取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基。
12、此外，在二芳基胺基具有两个芳基的情况下，两个芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
13、此外，在二芳基胺基具有两个杂芳基的情况下，两个杂芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
14、此外，在二芳基胺基具有芳基及杂芳基的情况下，芳基及杂芳基也可以彼此键合来形成环。
15、(4)另外，本专利技术的一个方式是一种光电转换器件用材料，该光电转换器件用材料用于光电转换器件的第二层，该光电转换器件包括第一电极、第二电极、第一层、第二层及第三层，其中第一层被夹在第一电极与第二电极之间，第二层被夹在第二电极与第一层之间，第三层被夹在第二电极与第二层之间，第三层的电子迁移率比第一层高。
16、该光电转换器件用材料具有蒽骨架，蒽骨架在9位及10位键合于取代或未取代的二芳基胺基，在2位或6位或者2位及6位的双方键合于取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基、取代或未取代的二芳基胺基。
17、注意，取代或未取代的所述二芳基胺基中的芳基为取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或者取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基。
18、此外，在二芳基胺基具有两个芳基的情况下，两个芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
19、此外，在二芳基胺基具有两个杂芳基的情况下，两个杂芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
20、此外，在二芳基胺基具有芳基及杂芳基的情况下，所述芳基及所述杂芳基也可以彼此键合来形成环。
21、(5)另外，本专利技术的一个方式是一种由下述通式(g1)表示的光电转换器件用材料，该光电转换器件用材料用于光电转换器件的第二层，该光电转换器件包括第一电极、第二电极、第一层、第二层及第三层，其中第一层被夹在第一电极与第二电极之间，第二层被夹在第二电极与第一层之间，第三层被夹在第二电极与第二层之间，第三层的电子迁移率比第一层高。
22、[化学式1]
23、
24、在上述通式(g1)中，a1、ar1及ar2分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至13的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基或者取代或未取代的二芳基胺基。
25、注意，取代或未取代的二芳基胺基中的芳基为取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或者取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基。
26、此外，在二芳基胺基具有两个芳基的情况下，两个芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
27、此外，在二芳基胺基具有两个杂芳基的情况下，两个杂芳基既可以相同又可以不同，也可以彼此键合来形成环。
28、此外，在二芳基胺基具有芳基及杂芳基的情况下，所述芳基及所述杂芳基也可以彼此键合来形成环。
29、r1至r6分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至13的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至13的烷氧基中的任一个。
30、ar3至ar4分别独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或者取代或未取代的碳原子数为2至25的杂芳基。
31、注意，上述通式(g1)中的任何氢也可以都是氘。
32、由此，可以提供一种对包括可见光区域的较宽波长区域的光本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电转换器件用材料，
2.一种光电转换器件用材料，
3.一种光电转换器件用材料，
4.一种光电转换器件用材料，
5.一种由通式(G1)表示的光电转换器件用材料，
6.一种显示装置包括：
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
8.根据权利要求6所述的显示装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电转换器件用材料，
2.一种光电转换器件用材料，
3.一种光电转换器件用材料，
4.一种光电转换器件用材料，
5.一种由...
【专利技术属性】
技术研发人员：久保田大介，杉本和哉，山下晃央，新仓泰裕，川上祥子，夛田杏奈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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