【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在本说明书中对显示装置以及包括该显示装置的电子设备等进行说明。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。
技术介绍
1、显示装置除了智能手机等便携式信息终端、电视装置等以外还用于适合于虚拟现实(vr:virtual reality)、增强现实(ar:augmented reality)等用途的hmd(head mounteddisplay)等各种电子设备。在hmd等用途中,显示装置除了窄边框化及低功耗化以外例如还被要求具有120hz以上的高刷新频率的显示性能。例如,专利文献1公开了由于使用能够进行高速驱动的晶体管而具有精细像素的hmd。
2、[先行技术文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利申请公开第2000-2856号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中包括所述第一晶体管的沟道形成区域的半导体层包含金属氧化物。
3.一种显示装置,包括:
4.一种显示装置,包括:
5.根据权利要求3或4所述的显示装置,其中所述第一晶体管在包括沟道形成区域的半导体层中包含硅。
6.根据权利要求3或4所述的显示装置,其中所述第一晶体管在包括沟道形成区域的半导体层中包含金属氧化物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其中所述显示部外侧的区域设置有源极线驱动电路。
8.一种显示装置,包
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中包括所述第一晶体管的沟道形成区域的半导体层包含金属氧化物。
3.一种显示装置,包括:
4.一种显示装置,包括:
5.根据权利要求3或4所述的显示装置,其中所述第一晶体管在包括沟道形成区域的半导体层中包含硅。
【专利技术属性】
技术研发人员:楠纮慈,热海知昭,宍户英明,川岛进,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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