纳米半导电无纺布制造技术

纳米半导电无纺布，涉及无纺布的生产技术领域。在无纺布中含有5%～10%的纳米中空碳管、2%～5%的丙烯酸乳液和0.2%～0.3%的平平加O。由于本发明专利技术在无纺布中含有上述成份，故而使产品达到了纳米级，其中的碳成分不易脱落，解决了传统产品碳黑成份易脱落的问题。另外，产品同时具有半导电性能优、抗拉强度＞50N/cm，表面电阻＜500Ω，体积电阻＜1*104Ω·cm，高温下不褪色。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无纺布的生产

技术介绍
目前应用于各种电缆生产中的绕包带大多采用无纺布，为了提高产品的抗强电场、半屏蔽，防静电等效果，往往采用在制作无纺布时加入碳纤维成分。但其效果极不理想，由于在使用过程中碳纤维易被折断，所以出现碳黑成份易脱落的现象，故而效果不尽如人意。
技术实现思路
本专利技术目的是提出一种能克服以上现有技术缺陷，提高产品使用效果的纳米半导电无纺布。本专利技术在无纺布中含有5%～10%的纳米中空碳管、2%～5%的丙烯酸乳液和0.2%～0.3%的平平加O。由于本专利技术在无纺布中含有上述成份，故而使产品达到了纳米级，其中的碳成分不易脱落，解决了传统产品碳黑成份易脱落的问题。另外，产品同时具有半导电性能优、抗拉强度＞50N/cm，表面电阻＜500Ω，体积电阻＜1*104Ω·cm，高温下不褪色。具体实施方式将丙纶纤维和涤纶纤维混料后，经开松、给棉、梳理、铺网、牵伸、针刺、热轧，形成无纺布制品。将10～15kg纳米中空碳管、12～15kg丙烯酸乳液、2～3kg平平加O、1～2kg分散剂和水混合后，置于搅拌机内高速搅拌，形成混合剂。将混合剂置于浸渍槽内，将制成的无纺布制品于混合剂中浸泡，然后通过压辊挤去液体，再经烘干，即得纳米半导电无纺布。检测：分析纳米半导电无纺布，其中含有5%～10%的纳米中空碳管、2%～5%的丙烯酸乳液和0.2%～0.3%的平平加O。产品厚度为0.2±0.03mm；克重为55±5g/m2。半导电性能优、抗拉强度＞50N/cm，表面电阻＜500Ω，体积电阻＜1*104Ω·cm，高温下不褪色。应用：将纳米半导电无纺布应用于电缆的绕包中，外观：表面光滑、无杂质、无破洞、无其它机械损伤，为黑色。本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米半导电无纺布，其特征在于：在无纺布中含有5%～10%的纳米中空碳管、2%～5%的丙烯酸乳液和0.2%～0.3%的平平加O。

【技术特征摘要】
1.纳米半导电无纺布，其特征在于：在无纺布中含有5%～10%的纳米中空碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学文，
申请(专利权)人：刘学文，
类型：发明
国别省市：江苏;32